4-дюймовая подложка SiC N-типа

Краткое описание:

Semicera предлагает широкий ассортимент пластин SiC 4H-8H. На протяжении многих лет мы являемся производителем и поставщиком продукции для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности. Наша основная продукция включает в себя: травильные пластины из карбида кремния, прицепы для лодок из карбида кремния, лодочки из карбида кремния (PV и полупроводники), печные трубы из карбида кремния, консольные лопасти из карбида кремния, патроны из карбида кремния, балки из карбида кремния, а также покрытия SiC CVD и ТаС-покрытия. Охватывает большинство европейских и американских рынков. Мы надеемся стать вашим долгосрочным партнером в Китае.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Монокристаллический материал карбида кремния (SiC) имеет большую ширину запрещенной зоны (~Si в 3 раза), высокую теплопроводность (~Si в 3,3 раза или GaAs в 10 раз), высокую скорость миграции насыщения электронов (~Si в 2,5 раза), высокую электрическую проводимость пробоя. поле (~Si в 10 раз или GaAs в 5 раз) и другие выдающиеся характеристики.

Semicera Energy может предоставить клиентам высококачественную проводящую (проводящую), полуизолирующую (полуизоляционную), HPSI (полуизоляционную) подложку из карбида кремния; Кроме того, мы можем предоставить клиентам гомогенные и гетерогенные эпитаксиальные листы карбида кремния; Мы также можем изготовить эпитаксиальный лист в соответствии с конкретными потребностями клиентов, при этом минимальный объем заказа не установлен.

Предметы	Производство	Исследовать	Дурачок
Параметры кристалла
Политип	4H
Ошибка ориентации поверхности	<11-20 >4±0,15°
Электрические параметры
легирующая примочка	Азот n-типа
Удельное сопротивление	0,015-0,025 Ом·см
Механические параметры
Диаметр	99,5 - 100 мм
Толщина	350±25 мкм
Первичная плоская ориентация	[1-100]±5°
Первичная плоская длина	32,5±1,5 мм
Вторичная флетовая позиция	90° по часовой стрелке от основной плоскости ±5°. кремний лицом вверх
Вторичная плоская длина	18±1,5 мм
ТТВ	≤5 мкм	≤10 мкм	≤20 мкм
Общая ценность	≤2 мкм (5 мм*5 мм)	≤5 мкм (5 мм*5 мм)	NA
Поклон	-15 мкм ~ 15 мкм	-35 мкм ~ 35 мкм	-45 мкм ~ 45 мкм
Деформация	≤20 мкм	≤45 мкм	≤50 мкм
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Структура
Плотность микротрубок	≤1 шт./см2	≤5 шт/см2	≤10 шт/см2
Металлические примеси	≤5E10атомов/см2		NA
БЛД	≤1500 шт/см2	≤3000 шт/см2	NA
ТСД	≤500 шт/см2	≤1000 шт/см2	NA
Переднее качество
Передний	Si
Чистота поверхности	Si-лицо CMP
Частицы	≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)	NA
Царапины	≤2 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина≤2*диаметр	NA
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения	Никто		NA
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины	Никто		NA
Политипные области	Никто	Совокупная площадь≤20%	Совокупная площадь≤30%
Передняя лазерная маркировка	Никто
Назад Качество
Задняя отделка	C-образная грань CMP
Царапины	≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр	NA
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)	Никто
Задняя шероховатость	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Задняя лазерная маркировка	1 мм (от верхнего края)
Край
Край	Фаска
Упаковка
Упаковка	Внутренний мешок заполняется азотом, а внешний вакуумируется. Кассета с несколькими пластинами, готовая к эпиляции.
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.