В метеорите нашли человека 1905 годакарбид кремния, в настоящее время в основном из синтетического материала, карбид кремния Цзянсу имеет множество применений, промышленный охват велик, может использоваться для монокристаллического кремния, поликремния, арсенида калия, кристаллов кварца, солнечной фотоэлектрической промышленности, полупроводниковой промышленности, материалов для инженерной обработки пьезоэлектрических кристаллов.
Третье поколение полупроводниковых материалов с его превосходными характеристиками, перспективы применения в будущем очень широки. Исследования и разработкикарбид кремнияЧипы в Китае все еще находятся на начальной стадии, применение чипов из карбида кремния в море меньше, разработкакарбид кремнияматериальной промышленности не хватает поддержки последующих предприятий по применению. При использовании в качестве армирующих материалов часто используется углеродное или стекловолокно, в основном армированные металлы (например, алюминий) и керамика, например, тормозные колодки для реактивных самолетов, лопасти двигателей, коробки шасси и конструкционные материалы фюзеляжа и т. д. Его также можно использовать в качестве спортивных товаров, а его короткое волокно можно использовать в качестве материалов для высокотемпературных печей.
Грубыйкарбид кремнияматериал поставлялся в больших количествах, но применение наномасштабакарбид кремнияпорошок с очень высоким техническим содержанием не может обеспечить эффект масштаба за короткое время. Карбидокремниевые материалы могут стать прорывом в применении фотоэлектрических инверторов. Третье поколение полупроводниковых материалов представляет собой полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, также известные как высокотемпературные полупроводниковые материалы, в основном включающие карбид кремния, нитрид галлия, нитрид алюминия, оксид цинка, алмаз и так далее.
В области фотоэлектрических приложений
Фотоэлектрический инвертор очень важен для производства фотоэлектрической энергии, он не только имеет функцию прямого преобразования переменного тока, но также в значительной степени выполняет функцию функции солнечного элемента и функцию защиты от сбоев системы. Он имеет функцию автоматической работы и отключения, функцию отслеживания высокой мощности, функцию антисепарации (для систем, подключенных к сети), функцию автоматической регулировки напряжения (для систем, подключенных к сети), функцию обнаружения постоянного тока (для систем, подключенных к сети). , функция обнаружения заземления постоянного тока (для систем, подключенных к сети) и т. д.
Приложения в области авиации
Карбид кремния превращается в волокно карбида кремния, волокно карбида кремния в основном используется в качестве материалов, устойчивых к высоким температурам и армирующих материалов, материалы, устойчивые к высоким температурам, включают теплозащитные материалы, устойчивые к высоким температурам конвейерные ленты, фильтровальную ткань для высокотемпературного газа или расплавленного металла. Этот тип материала имеет широкую запрещенную зону (ширина запрещенной зоны более 2,2 эв), высокую теплопроводность, сильное электрическое поле пробоя, высокую радиационную стойкость, высокую скорость насыщения электронами и другие характеристики, подходящие для высоких температур, высокой частоты, радиационной стойкости. и производство устройств высокой мощности. Развивать тесное и тесное сотрудничество в области подготовки кадров, технологических исследований и разработок; Укреплять связи между предприятиями, особенно активно участвовать в международных обменных потоках, повышать уровень развития предприятий; Уделяйте внимание построению бренда предприятия и стремитесь создавать первую продукцию предприятия.
Применение отечественными производителями инверторов новых технологий и новых устройств пока еще мало, а инвертор с карбидом кремния в качестве силового устройства начал применяться массово. Внутреннее сопротивление карбида кремния очень мало, а эффективность может быть очень высокой, частота переключения может достигать 10 К, а также можно сэкономить LC-фильтры и шинные конденсаторы.
Приложения в области полупроводников
Ожидается, что одномерные наноматериалы карбида кремния станут важным компонентом третьего поколения широкозонных полупроводниковых материалов из-за их микроскопической морфологии и кристаллической структуры, которые делают их более уникальными, превосходными функциями и более широкими перспективами применения.
Время публикации: 24 июля 2023 г.