-
Что такое вафельный носитель RTP?
Понимание его роли в производстве полупроводников. Изучение существенной роли подложек RTP в передовой обработке полупроводников. В мире производства полупроводников точность и контроль имеют решающее значение для производства высококачественных устройств, которые питают современную электронику. Один из...Читать далее -
Что такое эпи-носитель?
Изучение его решающей роли в обработке эпитаксиальных пластин. Понимание важности эпитаксиальных носителей в передовом производстве полупроводников. В полупроводниковой промышленности производство высококачественных эпитаксиальных (эпитаксиальных) пластин является критическим шагом в производстве таких устройств, как транзисторы, диоды...Читать далее -
Полупроводниковые процессы и оборудование (1/7) – Процесс производства интегральных схем
1.Об интегральных схемах 1.1. Концепция и рождение интегральных схем. Интегральная схема (ИС): относится к устройству, которое объединяет активные устройства, такие как транзисторы и диоды, с пассивными компонентами, такими как резисторы и конденсаторы, посредством ряда специальных технологий обработки...Читать далее -
Что такое носитель Эпи Пан?
Полупроводниковая промышленность использует узкоспециализированное оборудование для производства высококачественных электронных устройств. Одним из таких критически важных компонентов в процессе эпитаксиального роста является носитель эпипана. Это оборудование играет решающую роль в нанесении эпитаксиальных слоев на полупроводниковые пластины, в результате...Читать далее -
Что такое MOCVD-суцептор?
Химическое осаждение из паровой фазы металлов-органических соединений (MOCVD) — важнейший процесс в полупроводниковой промышленности, при котором на подложки наносятся высококачественные тонкие пленки. Ключевым компонентом процесса MOCVD является токоприемник, жизненно важный элемент, который играет решающую роль в обеспечении единообразия и качества...Читать далее -
Что такое покрытие SiC?
Покрытия из карбида кремния (SiC) быстро становятся незаменимыми в различных высокопроизводительных приложениях благодаря своим замечательным физическим и химическим свойствам. Нанесенные с помощью таких методов, как физическое или химическое осаждение из паровой фазы (CVD) или методы напыления, покрытия SiC преобразуют поверхность.Читать далее -
Что такое вафельный носитель MOCVD?
В области производства полупроводников технология MOCVD (химическое осаждение металлов из паровой фазы) быстро становится ключевым процессом, а одним из ее основных компонентов является MOCVD Wafer Carrier. Достижения в области MOCVD Wafer Carrier отражены не только в производственном процессе, но и...Читать далее -
Что такое карбид тантала?
Карбид тантала (TaC) представляет собой бинарное соединение тантала и углерода с химической формулой TaC x, где x обычно варьируется от 0,4 до 1. Это чрезвычайно твердые, хрупкие, тугоплавкие керамические материалы с металлической проводимостью. Это коричнево-серые порошки, и это мы...Читать далее -
что такое карбид тантала
Карбид тантала (TaC) — сверхвысокотемпературный керамический материал с высокой термостойкостью, высокой плотностью и высокой компактностью; высокая чистота, содержание примесей <5PPM; химическая инертность к аммиаку и водороду при высоких температурах и хорошая термическая стабильность. Так называемый сверхвысокий...Читать далее -
Что такое эпитаксия?
Большинству инженеров незнакома эпитаксия, которая играет важную роль в производстве полупроводниковых приборов. Эпитаксия может использоваться в различных чипах, и разные продукты имеют разные типы эпитаксии, включая эпитаксию Si, эпитаксию SiC, эпитаксию GaN и т. д. Что такое эпитаксия? Эпитаксия - это...Читать далее -
Каковы важные параметры SiC?
Карбид кремния (SiC) — важный полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, широко используемый в мощных и высокочастотных электронных устройствах. Ниже приведены некоторые ключевые параметры пластин карбида кремния и их подробные пояснения: Параметры решетки: Убедитесь, что ...Читать далее -
Почему монокристаллический кремний необходимо прокатывать?
Под прокаткой понимается процесс шлифования внешнего диаметра кремниевого монокристаллического стержня до монокристаллического стержня требуемого диаметра с использованием алмазного шлифовального круга и шлифования плоской кромочной опорной поверхности или позиционирующей канавки монокристаллического стержня. Внешний диаметр поверхности...Читать далее