Полупроводниковая промышленность переживает беспрецедентный рост, особенно в сферекарбид кремния (SiC)силовая электроника. Со многими масштабнымивафляЕсли заводы строятся или расширяются для удовлетворения растущего спроса на SiC-устройства в электромобилях, этот бум открывает замечательные возможности для роста прибыли. Однако это также порождает уникальные проблемы, которые требуют инновационных решений.
В основе роста мирового производства чипов SiC лежит производство высококачественных кристаллов, пластин и эпитаксиальных слоев SiC. Здесь,графит полупроводникового качестваМатериалы играют решающую роль, способствуя росту кристаллов SiC и нанесению эпитаксиальных слоев SiC. Теплоизоляция и инертность графита делают его предпочтительным материалом, широко используемым в тиглях, пьедесталах, планетарных дисках и сателлитах в системах выращивания кристаллов и эпитаксии. Тем не менее, суровые условия технологического процесса представляют собой серьезную проблему, приводящую к быстрой деградации графитовых компонентов и впоследствии препятствующую производству высококачественных кристаллов SiC и эпитаксиальных слоев.
Производство кристаллов карбида кремния связано с чрезвычайно суровыми технологическими условиями, включая температуры, превышающие 2000°C, и высокоагрессивные газовые вещества. Это часто приводит к полной коррозии графитовых тиглей после нескольких технологических циклов, что приводит к увеличению производственных затрат. Кроме того, суровые условия изменяют свойства поверхности графитовых компонентов, ставя под угрозу повторяемость и стабильность производственного процесса.
Чтобы эффективно бороться с этими проблемами, технология защитных покрытий стала переломным моментом. Защитные покрытия на основекарбид тантала (TaC)были введены для решения проблем деградации графитовых компонентов и нехватки поставок графита. Материалы TaC обладают температурой плавления, превышающей 3800°C, и исключительной химической стойкостью. Использование технологии химического осаждения из паровой фазы (CVD),TaC-покрытиятолщиной до 35 миллиметров можно беспрепятственно наносить на графитовые детали. Этот защитный слой не только повышает стабильность материала, но и значительно продлевает срок службы графитовых компонентов, что снижает производственные затраты и повышает эффективность работы.
Semicera, ведущий поставщикTaC-покрытия, сыграл важную роль в революционном преобразовании полупроводниковой промышленности. Благодаря своим передовым технологиям и непоколебимой приверженности качеству, Semicera позволила производителям полупроводников преодолеть критические проблемы и достичь новых высот успеха. Предлагая покрытия TaC с непревзойденными характеристиками и надежностью, Semicera укрепила свои позиции надежного партнера для полупроводниковых компаний по всему миру.
В заключение, технология защитного покрытия, основанная на таких инновациях, какTaC-покрытияот Semicera меняет мир полупроводников и прокладывает путь к более эффективному и устойчивому будущему.
Время публикации: 16 мая 2024 г.