1. Обзор
Нагрев, также известный как термическая обработка, относится к производственным процедурам, которые выполняются при высоких температурах, обычно превышающих температуру плавления алюминия.
Процесс нагрева обычно проводится в высокотемпературной печи и включает в себя основные процессы, такие как окисление, диффузия примесей и отжиг для устранения дефектов кристалла при производстве полупроводников.
Окисление: это процесс, при котором кремниевая пластина помещается в атмосферу окислителей, таких как кислород или водяной пар, для высокотемпературной термообработки, вызывая химическую реакцию на поверхности кремниевой пластины с образованием оксидной пленки.
Диффузия примесей: относится к использованию принципов термодиффузии в условиях высоких температур для введения примесных элементов в кремниевую подложку в соответствии с требованиями процесса, чтобы они имели определенное распределение концентрации, тем самым изменяя электрические свойства кремниевого материала.
Отжиг — это процесс нагрева кремниевой пластины после ионной имплантации для устранения дефектов решетки, вызванных ионной имплантацией.
Существует три основных типа оборудования, используемого для окисления/диффузии/отжига:
- Горизонтальная печь;
- Вертикальная печь;
- Печь быстрого нагрева: оборудование для быстрой термообработки
Традиционные процессы термообработки в основном используют длительную высокотемпературную обработку для устранения повреждений, вызванных ионной имплантацией, но ее недостатками являются неполное удаление дефектов и низкая эффективность активации имплантированных примесей.
Кроме того, из-за высокой температуры отжига и длительного времени, вероятно, произойдет перераспределение примесей, что приведет к диффузии большого количества примесей и несоответствию требованиям мелких переходов и узкого распределения примесей.
Быстрый термический отжиг ионно-имплантированных пластин с использованием оборудования для быстрой термической обработки (RTP) — это метод термообработки, при котором вся пластина нагревается до определенной температуры (обычно 400–1300 ° C) за очень короткое время.
По сравнению с отжигом в печи он имеет преимущества меньшего теплового баланса, меньшего диапазона движения примесей в зоне легирования, меньшего загрязнения и более короткого времени обработки.
В процессе быстрого термического отжига могут использоваться различные источники энергии, а диапазон времени отжига очень широк (от 100 до 10-9 с, например, ламповый отжиг, лазерный отжиг и т. д.). Он может полностью активировать примеси, эффективно подавляя их перераспределение. В настоящее время он широко используется в процессах производства высокотехнологичных интегральных схем с диаметром пластин более 200 мм.
2. Второй процесс нагрева.
2.1 Процесс окисления
В процессе производства интегральных схем существует два метода формирования пленок оксида кремния: термическое окисление и осаждение.
Под процессом окисления понимается процесс образования SiO2 на поверхности кремниевых пластин путем термического окисления. Пленка SiO2, образованная термическим окислением, широко используется в процессе производства интегральных схем благодаря ее превосходным электроизоляционным свойствам и технологической осуществимости.
Его наиболее важные применения заключаются в следующем:
- Защищайте устройства от царапин и загрязнений;
- Ограничение полевой изоляции носителей заряда (поверхностная пассивация);
- Диэлектрические материалы в структурах затворных оксидов или аккумуляторных ячеек;
- Маскировка имплантата при допинге;
- Диэлектрический слой между металлическими проводящими слоями.
(1)Защита и изоляция устройства
SiO2, выращенный на поверхности пластины (кремниевой пластины), может служить эффективным барьерным слоем для изоляции и защиты чувствительных устройств внутри кремния.
Поскольку SiO2 — твердый и непористый (плотный) материал, его можно использовать для эффективной изоляции активных устройств на поверхности кремния. Твердый слой SiO2 защитит кремниевую пластину от царапин и повреждений, которые могут возникнуть в процессе производства.
(2)Пассивация поверхности
Пассивация поверхности. Основным преимуществом термически выращенного SiO2 является то, что он может снизить плотность поверхностных состояний кремния за счет ограничения его оборванных связей. Этот эффект известен как пассивация поверхности.
Он предотвращает электрическую деградацию и уменьшает путь тока утечки, вызванного влагой, ионами или другими внешними загрязнителями. Твердый слой SiO2 защищает Si от царапин и технологических повреждений, которые могут возникнуть во время постпроизводства.
Слой SiO2, выращенный на поверхности Si, может связывать электрически активные примеси (загрязнения подвижными ионами) на поверхности Si. Пассивация также важна для контроля тока утечки переходных устройств и выращивания стабильных оксидов затвора.
Оксидный слой является высококачественным пассивирующим слоем и имеет такие требования к качеству, как равномерная толщина, отсутствие пор и пустот.
Другим фактором при использовании оксидного слоя в качестве слоя пассивации поверхности Si является толщина оксидного слоя. Оксидный слой должен быть достаточно толстым, чтобы предотвратить заряд металлического слоя из-за накопления заряда на поверхности кремния, что аналогично характеристикам накопления заряда и пробоя обычных конденсаторов.
SiO2 также имеет очень похожий с Si коэффициент теплового расширения. Кремниевые пластины расширяются во время высокотемпературных процессов и сжимаются при охлаждении.
SiO2 расширяется или сжимается со скоростью, очень близкой к скорости Si, что сводит к минимуму деформацию кремниевой пластины во время термического процесса. Это также позволяет избежать отделения оксидной пленки от поверхности кремния из-за напряжения пленки.
(3)Оксидный диэлектрик затвора
Для наиболее часто используемой и важной структуры затворного оксида в МОП-технологии в качестве диэлектрического материала используется чрезвычайно тонкий оксидный слой. Поскольку слой затворного оксида и кремний под ним имеют характеристики высокого качества и стабильности, слой затворного оксида обычно получают путем термического выращивания.
SiO2 имеет высокую диэлектрическую прочность (107 В/м) и высокое удельное сопротивление (около 1017 Ом·см).
Залогом надежности МОП-устройств является целостность оксидного слоя затвора. Структура затвора в МОП-устройствах контролирует поток тока. Поскольку этот оксид является основой работы микрочипов, основанных на полевой технологии,
Поэтому ее основными требованиями являются высокое качество, отличная однородность толщины пленки и отсутствие примесей. Любое загрязнение, которое может ухудшить функционирование оксидной структуры затвора, должно строго контролироваться.
(4)Допинговый барьер
SiO2 может использоваться в качестве эффективного маскирующего слоя для селективного легирования поверхности кремния. Как только на поверхности кремния образуется оксидный слой, SiO2 в прозрачной части маски вытравливается, образуя окно, через которое легирующий материал может проникнуть в кремниевую пластину.
Там, где нет окон, оксид может защитить поверхность кремния и предотвратить диффузию примесей, тем самым обеспечивая селективную имплантацию примесей.
Примеси движутся в SiO2 медленно по сравнению с Si, поэтому для блокирования примесей необходим только тонкий оксидный слой (обратите внимание, что эта скорость зависит от температуры).
Тонкий оксидный слой (например, толщиной 150 Å) также можно использовать в областях, где требуется ионная имплантация, что можно использовать для минимизации повреждения поверхности кремния.
Это также позволяет лучше контролировать глубину перехода во время имплантации примеси за счет уменьшения эффекта каналирования. После имплантации оксид можно выборочно удалить плавиковой кислотой, чтобы поверхность кремния снова стала плоской.
(5)Диэлектрический слой между металлическими слоями
SiO2 в обычных условиях не проводит электричество, поэтому является эффективным изолятором между металлическими слоями в микрочипах. SiO2 может предотвратить короткое замыкание между верхним металлическим слоем и нижним металлическим слоем, точно так же, как изолятор на проводе может предотвратить короткое замыкание.
Требование к качеству оксида заключается в отсутствии в нем пор и пустот. Его часто легируют для получения более эффективной текучести, что позволяет лучше минимизировать диффузию загрязнений. Обычно его получают путем химического осаждения из паровой фазы, а не термического выращивания.
В зависимости от реакционного газа процесс окисления обычно делят на:
- Сухое кислородное окисление: Si + O2→SiO2;
- Мокрое кислородное окисление: 2H2O (пары воды) + Si→SiO2+2H2;
- Окисление с использованием хлора: газообразный хлор, такой как хлористый водород (HCl), дихлорэтилен DCE (C2H2Cl2) или его производные, добавляется к кислороду для улучшения скорости окисления и качества оксидного слоя.
(1)Процесс окисления сухим кислородом: Молекулы кислорода в реакционном газе диффундируют через уже образовавшийся оксидный слой, достигают границы раздела между SiO2 и Si, реагируют с Si и затем образуют слой SiO2.
SiO2, полученный методом сухого кислородного окисления, имеет плотную структуру, равномерную толщину, сильную маскирующую способность для инжекции и диффузии, а также высокую повторяемость процесса. Его недостатком является медленный темп роста.
Этот метод обычно используется для высококачественного окисления, такого как окисление диэлектрика затвора, окисление тонкого буферного слоя или для начала окисления и прекращения окисления во время окисления толстого буферного слоя.
(2)Процесс влажного кислородного окисления: Водяной пар можно переносить непосредственно в кислороде или получать в результате реакции водорода и кислорода. Скорость окисления можно изменить, регулируя соотношение парциальных давлений водорода или водяного пара к кислороду.
Обратите внимание, что для обеспечения безопасности соотношение водорода и кислорода не должно превышать 1,88:1. Влажное окисление кислорода происходит из-за присутствия в реакционном газе как кислорода, так и водяного пара, а водяной пар разлагается на оксид водорода (HO) при высоких температурах.
Скорость диффузии оксида водорода в оксиде кремния намного выше, чем скорость диффузии кислорода, поэтому скорость окисления влажного кислорода примерно на порядок выше скорости окисления сухого кислорода.
(3)Процесс окисления с добавлением хлора: В дополнение к традиционному сухому кислородному окислению и влажному кислородному окислению к кислороду можно добавлять газообразный хлор, такой как хлористый водород (HCl), дихлорэтилен DCE (C2H2Cl2) или его производные, для улучшения скорости окисления и качества оксидного слоя. .
Основная причина увеличения скорости окисления заключается в том, что при добавлении хлора для окисления в реагенте не только содержатся водяные пары, способные ускорить окисление, но и хлор накапливается вблизи границы раздела Si и SiO2. В присутствии кислорода хлоркремнийсодержащие соединения легко превращаются в оксид кремния, который может катализировать окисление.
Основная причина улучшения качества оксидного слоя заключается в том, что атомы хлора в оксидном слое могут очищать активность ионов натрия, тем самым уменьшая окислительные дефекты, возникающие в результате загрязнения ионами натрия оборудования и технологического сырья. Таким образом, легирование хлором участвует в большинстве процессов окисления сухого кислорода.
2.2 Процесс диффузии
Традиционная диффузия означает перенос веществ из областей с более высокой концентрацией в области с более низкой концентрацией до тех пор, пока они не распределятся равномерно. Процесс диффузии подчиняется закону Фика. Диффузия может происходить между двумя или более веществами, а разница в концентрации и температуре между различными областями приводит распределение веществ к однородному равновесному состоянию.
Одним из наиболее важных свойств полупроводниковых материалов является то, что их проводимость можно регулировать путем добавления различных типов или концентраций легирующих примесей. При производстве интегральных схем этот процесс обычно достигается за счет процессов легирования или диффузии.
В зависимости от целей проектирования полупроводниковые материалы, такие как кремний, германий или соединения III-V, могут приобретать два разных полупроводниковых свойства: N-тип или P-тип, путем легирования донорными примесями или акцепторными примесями.
Легирование полупроводников в основном осуществляется двумя методами: диффузией или ионной имплантацией, каждый из которых имеет свои особенности:
Диффузионное легирование обходится дешевле, но концентрацию и глубину легирующего материала невозможно точно контролировать;
Хотя ионная имплантация является относительно дорогой, она позволяет точно контролировать профили концентрации легирующей примеси.
До 1970-х годов размер элементов интегральной графики составлял порядка 10 мкм, и для легирования обычно использовалась традиционная технология термодиффузии.
Процесс диффузии в основном используется для модификации полупроводниковых материалов. Путем диффузии различных веществ в полупроводниковые материалы можно изменить их проводимость и другие физические свойства.
Например, путем диффузии трехвалентного элемента бора в кремний образуется полупроводник P-типа; легированием пятивалентных элементов фосфором или мышьяком образуется полупроводник N-типа. Когда полупроводник P-типа с большим количеством дырок вступает в контакт с полупроводником N-типа с большим количеством электронов, образуется PN-переход.
По мере уменьшения размеров элементов процесс изотропной диффузии позволяет легирующим примесям диффундировать на другую сторону защитного оксидного слоя, вызывая замыкания между соседними областями.
За исключением некоторых специальных применений (таких как долговременная диффузия для формирования равномерно распределенных областей, устойчивых к высокому напряжению), процесс диффузии постепенно был заменен ионной имплантацией.
Однако в технологиях поколения ниже 10 нм, поскольку размер ребра в устройстве с трехмерным ребром полевого транзистора (FinFET) очень мал, ионная имплантация повредит его крошечную структуру. Использование процесса диффузии твердого источника может решить эту проблему.
2.3 Процесс деградации
Процесс отжига также называют термическим отжигом. Процесс заключается в помещении кремниевой пластины в высокотемпературную среду на определенный период времени для изменения микроструктуры на поверхности или внутри кремниевой пластины для достижения конкретной цели процесса.
Наиболее важными параметрами в процессе отжига являются температура и время. Чем выше температура и дольше время, тем выше тепловой бюджет.
В реальном процессе производства интегральных схем тепловой баланс строго контролируется. Если в технологическом процессе присутствует несколько процессов отжига, тепловой баланс можно выразить как суперпозицию нескольких термических обработок.
Однако по мере миниатюризации технологических узлов допустимый тепловой бюджет во всем процессе становится все меньше и меньше, то есть температура высокотемпературного термического процесса становится ниже и время становится короче.
Обычно процесс отжига сочетают с ионной имплантацией, осаждением тонких пленок, образованием силицидов металлов и другими процессами. Наиболее распространенным является термический отжиг после ионной имплантации.
Ионная имплантация воздействует на атомы подложки, заставляя их отрываться от исходной структуры решетки и повреждать решетку подложки. Термический отжиг может устранить повреждения решетки, вызванные ионной имплантацией, а также может перемещать имплантированные атомы примеси из щелей решетки в узлы решетки, тем самым активируя их.
Температура, необходимая для устранения повреждений решетки, составляет около 500°С, а температура, необходимая для активации примеси, — около 950°С. Теоретически, чем дольше время отжига и выше температура, тем выше скорость активации примесей, но слишком высокий тепловой баланс приведет к чрезмерной диффузии примесей, что сделает процесс неуправляемым и в конечном итоге приведет к ухудшению производительности устройства и схемы.
Поэтому с развитием технологии производства традиционный длительный печной отжиг постепенно заменяется быстрым термическим отжигом (БТА).
В процессе производства некоторые конкретные пленки после осаждения должны подвергаться термическому отжигу, чтобы изменить определенные физические или химические свойства пленки. Например, рыхлая пленка становится плотной, меняя скорость сухого или влажного травления;
Другой широко используемый процесс отжига происходит во время образования силицида металла. Металлические пленки, такие как кобальт, никель, титан и т. д., напыляются на поверхность кремниевой пластины, и после быстрого термического отжига при относительно низкой температуре металл и кремний могут образовать сплав.
Некоторые металлы образуют разные фазы сплава при разных температурных условиях. Обычно во время процесса надеются сформировать фазу сплава с более низким контактным сопротивлением и сопротивлением тела.
В соответствии с различными требованиями к тепловому бюджету процесс отжига делится на отжиг в высокотемпературной печи и быстрый термический отжиг.
- Высокотемпературный отжиг труб в печи:
Это традиционный метод отжига с высокой температурой, длительным временем отжига и высоким бюджетом.
Он широко используется в некоторых специальных процессах, таких как технология изоляции инжекцией кислорода для подготовки субстратов КНИ и процессы диффузии в глубоких ямах. Такие процессы обычно требуют более высокого теплового баланса для получения идеальной решетки или равномерного распределения примесей.
- Быстрый термический отжиг:
Это процесс обработки кремниевых пластин путем чрезвычайно быстрого нагрева/охлаждения и кратковременного выдерживания при заданной температуре, иногда также называемый быстрой термической обработкой (RTP).
В процессе формирования сверхмелких переходов быстрый термический отжиг обеспечивает компромиссную оптимизацию между устранением дефектов решетки, активацией примесей и минимизацией диффузии примесей и незаменим в процессе производства узлов передовых технологий.
Процесс повышения/падения температуры и кратковременное пребывание при заданной температуре вместе составляют тепловой баланс быстрого термического отжига.
Традиционный быстрый термический отжиг имеет температуру около 1000°C и занимает несколько секунд. В последние годы требования к быстрому термическому отжигу становятся все более строгими, и постепенно развиваются флэш-отжиг, импульсный отжиг и лазерный отжиг, при этом время отжига достигает миллисекунд и даже имеет тенденцию достигать микросекунд и субмикросекунд.
3 . Три нагревательных технологического оборудования
3.1 Оборудование для диффузии и окисления
В процессе диффузии в основном используется принцип термодиффузии в условиях высокой температуры (обычно 900-1200 ℃) для внедрения примесных элементов в кремниевую подложку на необходимую глубину, чтобы придать ей определенное распределение концентрации, чтобы изменить электрические свойства кремния. материал и образуют структуру полупроводникового устройства.
В технологии кремниевых интегральных схем процесс диффузии используется для изготовления PN-переходов или компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, межсоединенные провода, диоды и транзисторы в интегральных схемах, а также используется для изоляции между компонентами.
Из-за невозможности точно контролировать распределение концентрации легирующей примеси процесс диффузии постепенно заменяется процессом легирования ионной имплантацией при производстве интегральных схем с диаметром пластин 200 мм и выше, но небольшое количество до сих пор используется в тяжелых допинговые процессы.
Традиционное диффузионное оборудование представляет собой в основном горизонтальные диффузионные печи, а также небольшое количество вертикальных диффузионных печей.
Горизонтальная диффузионная печь:
Это оборудование для термообработки, широко используемое в процессе диффузии интегральных схем с диаметром пластин менее 200 мм. Его характеристики заключаются в том, что корпус нагревательной печи, реакционная трубка и кварцевая лодочка, несущая пластины, расположены горизонтально, поэтому технологические характеристики обеспечивают хорошую однородность между пластинами.
Это не только одно из важных интерфейсных устройств на линии по производству интегральных схем, но также широко используемое в диффузии, окислении, отжиге, легировании и других процессах в таких отраслях, как дискретные устройства, силовые электронные устройства, оптоэлектронные устройства и оптические волокна. .
Вертикальная диффузионная печь:
Обычно относится к оборудованию периодической термической обработки, используемому в процессе интегральных схем для пластин диаметром 200 мм и 300 мм, широко известному как вертикальная печь.
Конструктивные особенности вертикальной диффузионной печи заключаются в том, что корпус нагревательной печи, реакционная трубка и кварцевая лодочка, несущая пластину, расположены вертикально, а пластина - горизонтально. Он обладает характеристиками хорошей однородности пластины, высокой степенью автоматизации и стабильной производительностью системы, что может удовлетворить потребности крупномасштабных линий по производству интегральных схем.
Вертикальная диффузионная печь является одним из важных устройств на линии по производству полупроводниковых интегральных схем, а также широко используется в смежных процессах в области силовых электронных устройств (IGBT) и так далее.
Вертикальная диффузионная печь применима для таких процессов окисления, как сухое кислородное окисление, окисление водородно-кислородного синтеза, окисление оксинитрида кремния, а также процессов выращивания тонких пленок, таких как диоксид кремния, поликремний, нитрид кремния (Si3N4) и осаждение атомных слоев.
Он также широко используется в процессах высокотемпературного отжига, отжига меди и легирования. Что касается процесса диффузии, вертикальные диффузионные печи иногда также используются в процессах тяжелого легирования.
3.2 Оборудование для быстрого отжига
Оборудование для быстрой термической обработки (RTP) — это оборудование для термообработки одной пластины, которое может быстро поднять температуру пластины до температуры, необходимой для процесса (200–1300 ° C), и может быстро ее охладить. Скорость нагрева/охлаждения обычно составляет 20-250°C/с.
Помимо широкого спектра источников энергии и времени отжига, оборудование RTP также обладает другими отличными технологическими характеристиками, такими как превосходный контроль теплового баланса и лучшая однородность поверхности (особенно для пластин большого размера), восстановление повреждений пластин, вызванных ионной имплантацией, и несколько камер могут одновременно выполнять различные этапы процесса.
Кроме того, оборудование RTP позволяет гибко и быстро преобразовывать и регулировать технологические газы, что позволяет выполнять несколько процессов термообработки в одном процессе термообработки.
Оборудование RTP чаще всего используется при быстром термическом отжиге (RTA). После ионной имплантации необходимо оборудование RTP для устранения повреждений, вызванных имплантацией ионов, активации легированных протонов и эффективного подавления диффузии примесей.
Вообще говоря, температура исправления дефектов решетки составляет около 500°С, а для активации легированных атомов требуется 950°С. Активация примесей связана со временем и температурой. Чем больше время и выше температура, тем полнее активируются примеси, но это не способствует торможению диффузии примесей.
Поскольку оборудование RTP имеет характеристики быстрого повышения/падения температуры и короткую продолжительность, процесс отжига после ионной имплантации может обеспечить оптимальный выбор параметров среди восстановления дефектов решетки, активации примесей и ингибирования диффузии примесей.
RTA в основном делится на следующие четыре категории::
(1)Шиповый отжиг
Его особенностью является то, что он ориентирован на быстрый процесс нагрева/охлаждения, но в основном не имеет процесса сохранения тепла. Пиковый отжиг остается в точке высокой температуры в течение очень короткого времени, и его основная функция — активировать легирующие элементы.
В реальных приложениях пластина начинает быстро нагреваться от определенной стабильной температуры ожидания и сразу же остывает после достижения целевой температуры.
Поскольку время поддержания в заданной температурной точке (т. е. в точке пиковой температуры) очень короткое, процесс отжига может максимизировать степень активации примеси и минимизировать степень диффузии примеси, имея при этом хорошие характеристики ремонта дефектов отжигом, что приводит к более высокому качеству качество соединения и меньший ток утечки.
Пиковый отжиг широко используется в процессах сверхмелких переходов после 65 нм. Параметры процесса пикового отжига в основном включают пиковую температуру, пиковое время пребывания, температурную разницу и сопротивление пластины после процесса.
Чем короче пиковое время пребывания, тем лучше. В основном это зависит от скорости нагрева/охлаждения системы контроля температуры, но иногда на нее также оказывает определенное влияние выбранная атмосфера технологического газа.
Например, гелий имеет небольшой атомный объем и высокую скорость диффузии, что способствует быстрой и равномерной теплопередаче и может уменьшить ширину пика или время пребывания пика. Поэтому гелий иногда выбирают для обогрева и охлаждения.
(2)Лампа отжига
Широко применяется технология лампового отжига. Галогенные лампы обычно используются в качестве источников тепла для быстрого отжига. Их высокие скорости нагрева/охлаждения и точный контроль температуры могут удовлетворить требования производственных процессов, превышающих 65 нм.
Однако он не может полностью соответствовать строгим требованиям 45-нм процесса (после 45-нм процесса, когда происходит никель-кремниевый контакт логической БИС, пластину необходимо быстро нагреть с 200°C до более чем 1000°C в течение миллисекунд). поэтому обычно требуется лазерный отжиг).
(3)Лазерный отжиг
Лазерный отжиг — это процесс прямого использования лазера для быстрого повышения температуры поверхности пластины до тех пор, пока она не станет достаточной для расплавления кристалла кремния, что приведет к его высокой активации.
Преимуществами лазерного отжига являются чрезвычайно быстрый нагрев и чувствительный контроль. Он не требует нагрева нити, и практически нет проблем с температурной задержкой и сроком службы нити.
Однако с технической точки зрения лазерный отжиг имеет проблемы с током утечки и остаточными дефектами, что также будет иметь определенное влияние на производительность устройства.
(4)Мгновенный отжиг
Мгновенный отжиг — это технология отжига, в которой используется высокоинтенсивное излучение для импульсного отжига пластин при определенной температуре предварительного нагрева.
Пластину предварительно нагревают до 600-800°С, а затем используют высокоинтенсивное излучение для кратковременного импульсного облучения. Когда пиковая температура пластины достигает необходимой температуры отжига, излучение немедленно отключается.
Оборудование RTP все чаще используется в современном производстве интегральных схем.
Помимо широкого использования в процессах RTA, оборудование RTP также начало использоваться для быстрого термического окисления, быстрого термического азотирования, быстрой термодиффузии, быстрого химического осаждения из паровой фазы, а также для генерации силицидов металлов и эпитаксиальных процессов.
————————————————————————————————————————————————— ——
Semicera может предоставитьграфитовые детали,мягкий/жесткий фетр,детали из карбида кремния,Детали из карбида кремния CVD, иДетали с покрытием SiC/TaCс полным полупроводниковым процессом за 30 дней.
Если вы заинтересованы в вышеуказанных полупроводниковых продуктах,Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам в первый раз.
Тел: +86-13373889683
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Время публикации: 27 августа 2024 г.