Одно введение
Травление в процессе производства интегральных схем подразделяется на:
-Мокрое травление;
-Сухое травление.
Вначале широко использовалось влажное травление, но из-за ограничений в контроле ширины линии и направленности травления в большинстве процессов после 3 мкм используется сухое травление. Влажное травление используется только для удаления определенных слоев специального материала и очистки остатков.
Сухое травление представляет собой процесс использования газообразных химических травителей для взаимодействия с материалами на пластине с целью вытравливания части удаляемого материала и образования летучих продуктов реакции, которые затем извлекаются из реакционной камеры. Травитель обычно создается прямо или косвенно из плазмы травильного газа, поэтому сухое травление также называют плазменным травлением.
1.1 Плазма
Плазма — это газ в слабоионизированном состоянии, образующийся в результате тлеющего разряда травильного газа под действием внешнего электромагнитного поля (например, создаваемого радиочастотным источником питания). В его состав входят электроны, ионы и нейтральные активные частицы. Среди них активные частицы могут напрямую вступать в химическую реакцию с травленым материалом для достижения травления, но эта чистая химическая реакция обычно происходит только в очень небольшом количестве материалов и не является направленной; когда ионы обладают определенной энергией, их можно травить путем прямого физического распыления, но скорость травления этой чисто физической реакции чрезвычайно низка, а селективность очень плохая.
В большинстве случаев плазменное травление осуществляется при одновременном участии активных частиц и ионов. В этом процессе ионная бомбардировка выполняет две функции. Один из них — разрушить атомные связи на поверхности травленого материала, тем самым увеличивая скорость реакции с ним нейтральных частиц; другой - сбить продукты реакции, отложившиеся на границе раздела реакции, чтобы обеспечить полный контакт травителя с поверхностью протравленного материала, чтобы травление продолжалось.
Продукты реакции, осаждающиеся на боковых стенках вытравленной структуры, не могут быть эффективно удалены направленной ионной бомбардировкой, тем самым блокируя травление боковых стенок и образуя анизотропное травление.
Второй процесс травления
2.1 Влажное травление и очистка
Мокрое травление — одна из первых технологий, используемых в производстве интегральных схем. Хотя большинство процессов мокрого травления были заменены анизотропным сухим травлением из-за его изотропности, оно по-прежнему играет важную роль в очистке некритических слоев больших размеров. Это более эффективно и экономично, чем сухое травление, особенно при травлении остатков оксидов и удалении эпидермиса.
Объекты мокрого травления в основном включают оксид кремния, нитрид кремния, монокристаллический кремний и поликристаллический кремний. При мокром травлении оксида кремния в качестве основного химического носителя обычно используется плавиковая кислота (HF). Для повышения селективности в процессе используется разбавленная плавиковая кислота, забуференная фторидом аммония. Чтобы поддерживать стабильность значения pH, можно добавить небольшое количество сильной кислоты или других элементов. Легированный оксид кремния легче подвергается коррозии, чем чистый оксид кремния. Мокрая химическая очистка в основном используется для удаления фоторезиста и твердой маски (нитрида кремния). Горячая фосфорная кислота (H3PO4) является основной химической жидкостью, используемой для мокрой химической очистки с целью удаления нитрида кремния, и обладает хорошей селективностью по отношению к оксиду кремния.
Влажная очистка аналогична влажному травлению и в основном удаляет загрязняющие вещества с поверхности кремниевых пластин посредством химических реакций, включая частицы, органические вещества, металлы и оксиды. Основным методом влажной уборки является влажный химический метод. Хотя химчистка может заменить многие методы влажной уборки, не существует метода, способного полностью заменить влажную уборку.
Обычно используемые химикаты для влажной уборки включают серную кислоту, соляную кислоту, плавиковую кислоту, фосфорную кислоту, перекись водорода, гидроксид аммония, фторид аммония и т. д. На практике одно или несколько химикатов смешиваются с деионизированной водой в определенной пропорции, необходимой для очистки. образуют чистящий раствор, например SC1, SC2, DHF, BHF и т. д.
Очистку часто применяют в процессе перед нанесением оксидной пленки, поскольку подготовку оксидной пленки необходимо проводить на абсолютно чистой поверхности кремниевой пластины. Обычный процесс очистки кремниевых пластин выглядит следующим образом:
2.2 Сухое травление аи уборка
2.2.1 Сухое травление
Сухое травление в промышленности в основном относится к плазменному травлению, при котором используется плазма с повышенной активностью для травления конкретных веществ. В системе оборудования крупных производственных процессов используется низкотемпературная неравновесная плазма.
При плазменном травлении в основном используются два режима разряда: емкостный связанный разряд и индуктивный связанный разряд.
В режиме емкостного разряда: плазма генерируется и поддерживается в двух параллельных пластинчатых конденсаторах с помощью внешнего радиочастотного (РЧ) источника питания. Давление газа обычно составляет от нескольких миллиторр до десятков миллиторр, а скорость ионизации менее 10-5. В режиме индуктивно-связанного разряда: обычно при более низком давлении газа (десятки миллиторр) плазма генерируется и поддерживается за счет индуктивно-связанной входной энергии. Скорость ионизации обычно превышает 10-5, поэтому ее еще называют плазмой высокой плотности. Источники плазмы высокой плотности также могут быть получены с помощью электронного циклотронного резонанса и циклотронного волнового разряда. Плазма высокой плотности может оптимизировать скорость травления и селективность процесса травления, одновременно уменьшая повреждения при травлении за счет независимого управления потоком ионов и энергией ионной бомбардировки через внешний источник радиочастотного или микроволнового питания, а также источник питания радиочастотного смещения на подложке.
Процесс сухого травления заключается в следующем: травильный газ вводится в вакуумную реакционную камеру, и после стабилизации давления в реакционной камере плазма генерируется радиочастотным тлеющим разрядом; после воздействия высокоскоростных электронов он разлагается с образованием свободных радикалов, которые диффундируют к поверхности подложки и адсорбируются. Под действием ионной бомбардировки адсорбированные свободные радикалы реагируют с атомами или молекулами на поверхности подложки с образованием газообразных побочных продуктов, которые выводятся из реакционной камеры. Процесс показан на следующем рисунке:
Процессы сухого травления можно разделить на следующие четыре категории:
(1)Физическое напыление травление: В основном он основан на использовании энергичных ионов плазмы для бомбардировки поверхности протравленного материала. Количество распыляемых атомов зависит от энергии и угла падения частиц. При неизменности энергии и угла скорость распыления разных материалов обычно различается всего в 2–3 раза, поэтому селективности нет. Реакционный процесс преимущественно анизотропен.
(2)Химическое травление: Плазма обеспечивает газофазное травление атомов и молекул, которые химически реагируют с поверхностью материала с образованием летучих газов. Эта чисто химическая реакция обладает хорошей селективностью и изотропными характеристиками без учета структуры решетки.
Например: Si (твердый) + 4F → SiF4 (газообразный), фоторезист + O (газообразный) → CO2 (газообразный) + H2O (газообразный)
(3)Ионно-энергетическое травление: Ионы — это как частицы, вызывающие травление, так и частицы, несущие энергию. Эффективность травления таких энергонесущих частиц более чем на порядок превышает эффективность простого физического или химического травления. Среди них оптимизация физических и химических параметров процесса является основой управления процессом травления.
(4)Травление ионно-барьерного композита: В основном это относится к созданию полимерного барьерного защитного слоя частицами композита в процессе травления. Плазме необходим такой защитный слой, чтобы предотвратить реакцию травления боковых стенок в процессе травления. Например, добавление C к Cl и травление Cl2 может привести к образованию слоя хлоруглеродного соединения во время травления, чтобы защитить боковые стенки от травления.
2.2.1 Химчистка
Химчистка в основном относится к плазменной чистке. Ионы плазмы используются для бомбардировки очищаемой поверхности, а атомы и молекулы в активированном состоянии взаимодействуют с очищаемой поверхностью, удаляя и озоляя фоторезист. В отличие от сухого травления, параметры процесса химической очистки обычно не включают направленную селективность, поэтому схема процесса относительно проста. В крупномасштабных производственных процессах в качестве основного компонента реакционной плазмы в основном используются газы на основе фтора, кислород или водород. Кроме того, добавление определенного количества аргоновой плазмы может усилить эффект ионной бомбардировки, тем самым повышая эффективность очистки.
В процессе плазменной химической чистки обычно используют дистанционный плазменный метод. Это связано с тем, что в процессе очистки предполагается уменьшить эффект бомбардировки ионами в плазме, чтобы контролировать ущерб, вызванный ионной бомбардировкой; а усиленная реакция химических свободных радикалов может повысить эффективность очистки. Удаленная плазма может использовать микроволны для генерации стабильной плазмы высокой плотности за пределами реакционной камеры, генерируя большое количество свободных радикалов, которые попадают в реакционную камеру для достижения реакции, необходимой для очистки. В большинстве источников газа для химической чистки в промышленности используются газы на основе фтора, такие как NF3, и более 99% NF3 разлагается в микроволновой плазме. В процессе сухой чистки практически отсутствует эффект ионной бомбардировки, поэтому полезно защитить кремниевую пластину от повреждений и продлить срок службы реакционной камеры.
Три оборудования для влажного травления и очистки.
3.1 Машина для очистки пластин резервуарного типа
Машина для очистки пластин желобного типа в основном состоит из переднего модуля передачи коробки передачи пластин, модуля передачи загрузки/выгрузки пластин, модуля забора отработанного воздуха, модуля резервуара для химической жидкости, модуля резервуара для деионизированной воды, сушильного резервуара. модуль и модуль управления. Он может очищать несколько коробок с вафлями одновременно и обеспечивать сушку вафель.
3.2 Транзитный станок для травления пластин
3.3 Оборудование для влажной обработки одиночных пластин
В зависимости от различных технологических целей оборудование для мокрой обработки одной пластины можно разделить на три категории. Первая категория — это оборудование для очистки отдельных пластин, цели очистки которого включают частицы, органические вещества, слой естественного оксида, металлические примеси и другие загрязняющие вещества; вторая категория — это оборудование для очистки одной пластины, основной технологической целью которого является удаление частиц с поверхности пластины; третья категория — это оборудование для травления одиночных пластин, которое в основном используется для удаления тонких пленок. В зависимости от различных технологических целей оборудование для травления одиночных пластин можно разделить на два типа. Первый тип — это оборудование для мягкого травления, которое в основном используется для удаления слоев повреждений поверхностной пленки, вызванных имплантацией ионов высокой энергии; второй тип — это оборудование для удаления жертвенного слоя, которое в основном используется для удаления барьерных слоев после утончения пластин или химико-механической полировки.
С точки зрения общей архитектуры машины, базовая архитектура всех типов оборудования для мокрых процессов с одной пластиной аналогична и обычно состоит из шести частей: основная рама, система передачи пластин, модуль камеры, модуль подачи и транспортировки химической жидкости, система программного обеспечения. и электронный модуль управления.
3.4 Оборудование для очистки одиночных пластин
Оборудование для очистки одной пластины разработано на основе традиционного метода очистки RCA, и его технологическая цель заключается в очистке частиц, органических веществ, слоя естественного оксида, металлических примесей и других загрязняющих веществ. Что касается технологического применения, оборудование для очистки одиночных пластин в настоящее время широко используется на передних и задних этапах производства интегральных схем, включая очистку до и после формирования пленки, очистку после плазменного травления, очистку после ионной имплантации, очистку после химической обработки. механическая полировка и очистка после напыления металла. За исключением процесса высокотемпературной фосфорной кислоты, оборудование для очистки отдельных пластин в основном совместимо со всеми процессами очистки.
3.5 Оборудование для травления одиночных пластин
Целью процесса травления одиночных пластин является главным образом травление тонких пленок. В зависимости от назначения процесса его можно разделить на две категории, а именно оборудование для легкого травления (используется для удаления слоя повреждения поверхностной пленки, вызванного имплантацией ионов высокой энергии) и оборудование для удаления жертвенного слоя (используется для удаления барьерного слоя после пластины). истончение или химико-механическая полировка). Материалы, которые необходимо удалить в процессе, обычно включают слои кремния, оксида кремния, нитрида кремния и металлических пленок.
Четыре оборудования для сухого травления и очистки.
4.1 Классификация оборудования плазменного травления
Помимо оборудования для травления ионным распылением, близкого к чистой физической реакции, и оборудования для удаления смолы, близкого к чистой химической реакции, плазменное травление можно условно разделить на две категории в зависимости от различных технологий генерации и управления плазмой:
-травление емкостно-связанной плазмой (CCP);
- Травление индуктивно-связанной плазмой (ИСП).
4.1.1 ККТ
При емкостно-связанном плазменном травлении источник радиочастотного питания подключается к одному или обоим из верхнего и нижнего электродов в реакционной камере, а плазма между двумя пластинами образует конденсатор в упрощенной эквивалентной схеме.
Существуют две самые ранние такие технологии.:
Одним из них является раннее плазменное травление, при котором источник ВЧ-питания подсоединяется к верхнему электроду, а нижний электрод, на котором расположена пластина, заземляется. Поскольку генерируемая таким образом плазма не образует достаточно толстую ионную оболочку на поверхности пластины, энергия ионной бомбардировки невелика, и ее обычно используют в таких процессах, как травление кремния, в которых в качестве основного травителя используются активные частицы.
Другой метод — раннее реактивное ионное травление (RIE), при котором источник ВЧ-питания подсоединяется к нижнему электроду, где расположена пластина, и заземляется верхний электрод большей площади. Эта технология позволяет сформировать более толстую ионную оболочку, которая подходит для процессов диэлектрического травления, требующих более высокой энергии ионов для участия в реакции. На основе раннего реактивного ионного травления добавляется магнитное поле постоянного тока, перпендикулярное радиочастотному электрическому полю, для формирования дрейфа ExB, который может увеличить вероятность столкновения электронов и частиц газа, тем самым эффективно улучшая концентрацию плазмы и скорость травления. Такое травление называется реактивным ионным травлением, усиленным магнитным полем (MERIE).
У трех вышеуказанных технологий есть общий недостаток: концентрацию плазмы и ее энергию невозможно контролировать по отдельности. Например, для увеличения скорости травления можно использовать метод увеличения ВЧ-мощности для увеличения концентрации плазмы, но увеличение ВЧ-мощности неизбежно приведет к увеличению энергии ионов, что приведет к повреждению устройств на вафля. В последнее десятилетие технология емкостной связи приняла конструкцию нескольких источников РЧ, которые подключаются к верхнему и нижнему электродам соответственно или оба к нижнему электроду.
Путем выбора и сопоставления различных радиочастот, площадь электродов, расстояние между ними, материалы и другие ключевые параметры согласовываются друг с другом, концентрация плазмы и энергия ионов могут быть максимально разделены.
4.1.2 ИСП
Травление индуктивно-связанной плазмой заключается в размещении одного или нескольких наборов катушек, подключенных к радиочастотному источнику питания, на реакционной камере или вокруг нее. Переменное магнитное поле, создаваемое радиочастотным током в катушке, поступает в реакционную камеру через диэлектрическое окно, чтобы ускорить электроны, тем самым создавая плазму. В упрощенной схеме замещения (трансформаторе) катушка – это индуктивность первичной обмотки, а плазма – индуктивность вторичной обмотки.
Этот метод связи позволяет достичь концентрации в плазме, которая более чем на порядок выше, чем емкостная связь при низком давлении. Кроме того, второй источник высокочастотного питания подключен к месту нахождения пластины в качестве источника питания смещения для обеспечения энергии ионной бомбардировки. Следовательно, концентрация ионов зависит от источника питания катушки, а энергия ионов зависит от источника питания смещения, тем самым достигаясь более тщательное разделение концентрации и энергии.
4.2 Оборудование для плазменного травления
Почти все травители при сухом травлении прямо или косвенно образуются из плазмы, поэтому сухое травление часто называют плазменным травлением. Плазменное травление – это разновидность плазменного травления в широком смысле. В двух ранних конструкциях реакторов с плоскими пластинами одна из них заключалась в заземлении пластины, на которой расположена пластина, а другая пластина подключалась к источнику радиочастотного излучения; другой — наоборот. В первой конструкции площадь заземленной пластины обычно больше площади пластины, подключенной к ВЧ-источнику, и давление газа в реакторе высокое. Ионная оболочка, образующаяся на поверхности пластины, очень тонкая, и пластина кажется «погруженной» в плазму. Травление в основном завершается химической реакцией между активными частицами плазмы и поверхностью травленого материала. Энергия ионной бомбардировки очень мала, и ее участие в травлении очень мало. Такая конструкция называется режимом плазменного травления. В другой конструкции, поскольку степень участия ионной бомбардировки относительно велика, ее называют режимом реактивного ионного травления.
4.3 Оборудование для реактивного ионного травления
Реактивное ионное травление (РИЭ) относится к процессу травления, в котором активные частицы и заряженные ионы участвуют в процессе одновременно. Среди них активными частицами являются в основном нейтральные частицы (также известные как свободные радикалы) с высокой концентрацией (около 1–10% концентрации газа), которые являются основными компонентами травителя. Продукты, образующиеся в результате химической реакции между ними и протравленным материалом, либо улетучиваются и непосредственно извлекаются из реакционной камеры, либо накапливаются на протравленной поверхности; при этом заряженные ионы имеют меньшую концентрацию (от 10-4 до 10-3 концентрации газа), и они ускоряются электрическим полем ионной оболочки, образующейся на поверхности пластины, бомбардируя травленую поверхность. Есть две основные функции заряженных частиц. Один из них — разрушить атомную структуру протравленного материала, тем самым ускорив скорость реакции с ним активных частиц; другой - бомбардировать и удалять накопившиеся продукты реакции так, чтобы травимый материал находился в полном контакте с активными частицами, чтобы травление продолжалось.
Поскольку ионы не принимают непосредственного участия в реакции травления (или составляют очень небольшую долю, например, при удалении физической бомбардировки и прямом химическом травлении активных ионов), строго говоря, описанный выше процесс травления следует называть ионно-ассистированным травлением. Название «реактивное ионное травление» неточно, но оно используется до сих пор. Самое раннее оборудование RIE было введено в эксплуатацию в 1980-х годах. Из-за использования одного источника ВЧ-питания и относительно простой конструкции реакционной камеры он имеет ограничения с точки зрения скорости травления, однородности и селективности.
4.4 Оборудование для реактивного ионного травления с усилением магнитного поля
Устройство MERIE (реактивное ионное травление с магнитным усилением) представляет собой устройство для травления, которое создано путем добавления магнитного поля постоянного тока к плоскопанельному устройству RIE и предназначено для увеличения скорости травления.
Оборудование MERIE стало широко использоваться в 1990-х годах, когда оборудование для травления одной пластины стало основным оборудованием в отрасли. Самым большим недостатком оборудования MERIE является то, что неоднородность пространственного распределения концентрации плазмы, вызванная магнитным полем, приведет к разнице токов или напряжений в устройстве на интегральной схеме, тем самым вызывая повреждение устройства. Поскольку это повреждение вызвано мгновенной неоднородностью, вращение магнитного поля не может его устранить. Поскольку размеры интегральных схем продолжают уменьшаться, повреждение их устройств становится все более чувствительным к неоднородности плазмы, а технология увеличения скорости травления за счет усиления магнитного поля постепенно заменяется технологией планарного реактивного ионного травления с несколькими радиочастотными источниками питания, которая То есть технология травления емкостной плазмой.
4.5 Оборудование для плазменного травления с емкостной связью
Оборудование для травления с емкостной плазмой (CCP) представляет собой устройство, которое генерирует плазму в реакционной камере посредством емкостной связи путем подачи радиочастотного (или постоянного) источника питания на электродную пластину и используется для травления. Его принцип травления аналогичен принципу реактивного ионного травления.
Упрощенная принципиальная схема травильного оборудования ККТ представлена ниже. Обычно используются два или три радиочастотных источника разных частот, а в некоторых также используются источники питания постоянного тока. Частота радиочастотного источника питания составляет 800–162 МГц, обычно используемые частоты — 2 МГц, 4 МГц, 13 МГц, 27 МГц, 40 МГц и 60 МГц. Источники питания ВЧ с частотой 2 МГц или 4 МГц принято называть низкочастотными источниками ВЧ. Обычно они подключаются к нижнему электроду, где расположена пластина. Они более эффективны в управлении энергией ионов, поэтому их еще называют источниками питания смещения; Источники питания ВЧ с частотой выше 27 МГц называются высокочастотными источниками ВЧ. Их можно подключить как к верхнему, так и к нижнему электроду. Они более эффективны в контроле концентрации плазмы, поэтому их еще называют источниками питания. Радиочастотный источник питания 13 МГц находится посередине и обычно считается, что он выполняет обе вышеуказанные функции, но он относительно слабее. Отметим, что хотя концентрацию и энергию плазмы можно регулировать в определенном диапазоне мощностью ВЧ-источников разных частот (так называемый эффект развязки), из-за особенностей емкостной связи их нельзя регулировать и контролировать полностью независимо.
Распределение энергии ионов оказывает существенное влияние на детальную производительность травления и повреждение устройства, поэтому разработка технологии оптимизации распределения энергии ионов стала одним из ключевых моментов современного травильного оборудования. В настоящее время технологии, которые успешно используются в производстве, включают гибридный привод с несколькими радиочастотами, суперпозицию постоянного тока, радиочастотное совмещение с импульсным смещением постоянного тока и синхронный импульсный радиочастотный выход источника питания смещения и источника питания.
Оборудование для травления CCP является одним из двух наиболее широко используемых типов оборудования для плазменного травления. Он в основном используется в процессе травления диэлектрических материалов, таких как травление боковых стенок затвора и травление твердой маски на переднем этапе процесса логического чипа, травление контактных отверстий на среднем этапе, травление мозаики и алюминиевых площадок на заднем этапе, а также травление глубоких траншей, глубоких отверстий и контактных отверстий проводов в процессе изготовления чипов флэш-памяти 3D (на примере структуры нитрида кремния/оксида кремния).
Существует две основные проблемы и направления совершенствования, с которыми сталкивается оборудование для травления CCP. Во-первых, при применении чрезвычайно высокой энергии ионов возможность травления структур с высоким соотношением сторон (например, травление отверстий и канавок в 3D-флэш-памяти требует соотношения выше 50:1). В нынешнем методе увеличения мощности смещения для увеличения энергии ионов используются источники радиочастотного питания мощностью до 10 000 Вт. Ввиду большого количества выделяемого тепла технология охлаждения и контроля температуры реакционной камеры нуждается в постоянном совершенствовании. Во-вторых, необходим прорыв в разработке новых травильных газов, чтобы фундаментально решить проблему возможностей травления.
4.6 Оборудование для травления индуктивно-связанной плазмой
Оборудование для травления с индуктивно-связанной плазмой (ICP) представляет собой устройство, которое передает энергию радиочастотного источника питания в реакционную камеру в виде магнитного поля через катушку индуктора, тем самым генерируя плазму для травления. Его принцип травления также относится к обобщенному реактивному ионному травлению.
Существует два основных типа конструкций источников плазмы для оборудования ИСП-травления. Одной из них является технология трансформаторной плазмы (TCP), разработанная и производимая компанией Lam Research. Его катушка индуктора размещена в плоскости диэлектрического окна над реакционной камерой. Радиочастотный сигнал частотой 13,56 МГц создает в катушке переменное магнитное поле, которое перпендикулярно диэлектрическому окну и расходится радиально с осью катушки в центре.
Магнитное поле поступает в реакционную камеру через диэлектрическое окно, а переменное магнитное поле генерирует переменное электрическое поле, параллельное диэлектрическому окну в реакционной камере, тем самым достигая диссоциации травильного газа и генерации плазмы. Поскольку этот принцип можно понимать как трансформатор с катушкой индуктивности в качестве первичной обмотки и плазмой в реакционной камере в качестве вторичной обмотки, ICP-травление названо в честь этого.
Основное преимущество технологии TCP заключается в том, что структуру легко масштабировать. Например, при переходе от пластины диаметром 200 мм к пластине диаметром 300 мм TCP может поддерживать тот же эффект травления, просто увеличивая размер катушки.
Другой конструкцией источника плазмы является технология источника развязанной плазмы (DPS), разработанная и производимая компанией Applied Materials, Inc. в США. Его катушка индуктивности трехмерно намотана на полусферическом диэлектрическом окне. Принцип генерации плазмы аналогичен вышеупомянутой технологии TCP, однако эффективность диссоциации газа относительно высока, что способствует получению более высокой концентрации плазмы.
Поскольку эффективность индуктивной связи для генерации плазмы выше, чем емкостной связи, а плазма генерируется преимущественно в области, близкой к диэлектрическому окну, ее концентрация плазмы в основном определяется мощностью источника питания, подключенного к индуктору. катушка, а энергия ионов в ионной оболочке на поверхности пластины в основном определяется мощностью источника питания смещения, поэтому концентрацию и энергию ионов можно контролировать независимо, тем самым достигая развязки.
Оборудование для плазменного травления является одним из двух наиболее широко используемых типов оборудования для плазменного травления. Он в основном используется для травления кремниевых неглубоких траншей, германия (Ge), поликремниевых затворных структур, металлических затворных структур, напряженного кремния (Strained-Si), металлических проволок, металлических площадок (Pads), мозаичного травления металлических твердых масок и множества процессов в технология множественной визуализации.
Кроме того, с появлением трехмерных интегральных схем, КМОП-датчиков изображения и микроэлектромеханических систем (МЭМС), а также с быстрым увеличением применения сквозных кремниевых переходных отверстий (TSV), наклонных отверстий большого размера и Для глубокого травления кремния различной морфологии многие производители выпустили оборудование для травления, разработанное специально для этих целей. Его характеристиками является большая глубина травления (десятки или даже сотни микрон), поэтому он в основном работает в условиях сильного потока газа, высокого давления и высокой мощности.
————————————————————————————————————————————————— ———————————-
Semicera может предоставитьграфитовые детали, мягкий/жесткий фетр, детали из карбида кремния, Детали из карбида кремния CVD, иДетали с покрытием SiC/TaCс через 30 дней.
Если вы заинтересованы в вышеуказанных полупроводниковых продуктах,Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам в первый раз.
Тел: +86-13373889683
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Время публикации: 31 августа 2024 г.