Лотки из карбида кремния, также известные как лотки из SiC, являются важными материалами, используемыми для переноски кремниевых пластин в процессе производства полупроводников. Карбид кремния обладает превосходными свойствами, такими как высокая твердость, стойкость к высоким температурам и коррозионная стойкость, поэтому он постепенно заменяет традиционные материалы, такие как кварцевые и керамические пластины, в полупроводниковой промышленности. С развитием полупроводниковой промышленности, особенно в области 5G, оптоэлектронных устройств, силовой электроники и т. д., также растет спрос на лотки из карбида кремния.
Семицералотки из карбида кремнияиспользовать передовые процессы спекания в процессе производства, чтобы обеспечить высокую плотность и прочность лотков, что позволяет им сохранять стабильные характеристики в суровых условиях, таких как высокая температура и высокое давление. В то же время низкий коэффициент теплового расширения лотков из карбида кремния может снизить влияние изменений температуры на точность обработки.кремниевые пластины, тем самым повышая выход продукции.
лотки из карбида кремнияразработанные Semicera, подходят не только для обработки традиционныхкремниевые пластины, но также может использоваться при производстве пластин карбида кремния, что имеет решающее значение для будущего развития полупроводниковой промышленности. Пластины карбида кремния имеют более высокую подвижность электронов и лучшую теплопроводность, что может значительно повысить эффективность работы и производительность устройств. Поэтому растет спрос и на поддоны из карбида кремния, подходящие для их производства.
С постоянным развитием технологий производства полупроводников оптимизируются конструкция и процесс производства лотков из карбида кремния. В будущем Semicera продолжит работать над улучшением характеристик поддонов из карбида кремния, чтобы удовлетворить рыночный спрос на высокоточные и надежные поддоны. Широкое использование поддонов из карбида кремния не только способствует развитию процессов производства полупроводников, но также обеспечивает мощную поддержку для создания более эффективных и стабильных электронных продуктов.
Время публикации: 30 августа 2024 г.