-
Вчера Совет по инновациям в области науки и технологий опубликовал объявление о том, что Huazhuo Precision Technology прекратила IPO!
Только что объявлено о поставке первого 8-дюймового оборудования для лазерного отжига SIC в Китае, что также является технологией Tsinghua; Почему они сами отозвали материалы? Всего несколько слов: Во-первых, продукты слишком разнообразны! На первый взгляд, я не знаю, чем они занимаются. В настоящее время Х...Читать далее -
CVD-покрытие карбида кремния-2
CVD-покрытие из карбида кремния 1. Почему существует покрытие из карбида кремния Эпитаксиальный слой представляет собой особую тонкую монокристаллическую пленку, выращенную на основе пластины посредством эпитаксиального процесса. Пластина-подложка и тонкая эпитаксиальная пленка вместе называются эпитаксиальными пластинами. Среди них...Читать далее -
Процесс подготовки покрытия SIC
В настоящее время методы приготовления покрытия SiC в основном включают метод гель-золя, метод заливки, метод нанесения кистью, метод плазменного напыления, метод химической реакции из паровой фазы (CVR) и метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Метод внедренияЭтот метод представляет собой разновидность высокотемпературного твердофазного...Читать далее -
CVD-покрытие карбида кремния-1
Что такое CVD. Химическое осаждение SiC из паровой фазы (CVD) — это процесс вакуумного осаждения, используемый для производства твердых материалов высокой чистоты. Этот процесс часто используется в области производства полупроводников для формирования тонких пленок на поверхности пластин. В процессе получения SiC методом CVD подложка подвергается...Читать далее -
Анализ дислокационной структуры в кристалле SiC методом трассировки лучей с помощью рентгеновской топологической визуализации
Предыстория исследования Важность применения карбида кремния (SiC): Как полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, карбид кремния привлек большое внимание благодаря своим превосходным электрическим свойствам (таким как большая запрещенная зона, более высокая скорость насыщения электронами и теплопроводность). Эти опоры...Читать далее -
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC 3
Проверка роста Затравочные кристаллы карбида кремния (SiC) были приготовлены в соответствии с описанным процессом и проверены с помощью выращивания кристаллов SiC. В качестве платформы для выращивания использовалась индукционная печь для выращивания карбида кремния собственной разработки с температурой роста 2200 ℃, давлением роста 200 Па и...Читать далее -
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC (Часть 2)
2. Экспериментальный процесс 2.1. Отверждение клейкой пленки Было замечено, что непосредственное создание углеродной пленки или склеивание графитовой бумаги на пластинах SiC, покрытых клеем, привело к нескольким проблемам: 1. В условиях вакуума клейкая пленка на пластинах SiC приобрела чешуйчатый вид из-за подписать...Читать далее -
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC
Карбид кремния (SiC) обладает такими преимуществами, как широкая запрещенная зона, высокая теплопроводность, высокая критическая напряженность поля пробоя и высокая скорость дрейфа насыщенных электронов, что делает его весьма перспективным в области производства полупроводников. Монокристаллы SiC обычно производятся...Читать далее -
Какие существуют методы полировки пластин?
Из всех процессов, связанных с созданием чипа, окончательная судьба пластины заключается в том, чтобы разрезать ее на отдельные матрицы и упаковать в небольшие закрытые коробки, оставив лишь несколько открытых контактов. Чип будет оцениваться по его пороговым значениям, сопротивлению, току и напряжению, но никто не будет учитывать...Читать далее -
Базовое введение в процесс эпитаксиального роста SiC
Эпитаксиальный слой представляет собой особую монокристаллическую пленку, выращенную на пластине эпитаксиальным процессом, а пластина-подложка и эпитаксиальная пленка называются эпитаксиальной пластиной. Путем выращивания эпитаксиального слоя карбида кремния на проводящей подложке из карбида кремния гомогенный эпитаксиальный слой карбида кремния...Читать далее -
Ключевые моменты контроля качества процесса упаковки полупроводников
Ключевые моменты контроля качества в процессе упаковки полупроводников. В настоящее время технология производства упаковки полупроводников значительно усовершенствована и оптимизирована. Однако в целом процессы и методы упаковки полупроводников еще не достигли самого совершенства...Читать далее -
Проблемы в процессе упаковки полупроводников
Существующие методы изготовления полупроводниковой упаковки постепенно совершенствуются, но степень внедрения автоматизированного оборудования и технологий в полупроводниковую упаковку напрямую определяет реализацию ожидаемых результатов. Существующие процессы упаковки полупроводников все еще страдают от...Читать далее