-
Что такое карбид тантала?
Карбид тантала (TaC) представляет собой бинарное соединение тантала и углерода с химической формулой TaC x, где x обычно варьируется от 0,4 до 1. Это чрезвычайно твердые, хрупкие, тугоплавкие керамические материалы с металлической проводимостью. Это коричнево-серые порошки, и это мы...Читать далее -
что такое карбид тантала
Карбид тантала (TaC) — сверхвысокотемпературный керамический материал с высокой термостойкостью, высокой плотностью и высокой компактностью; высокая чистота, содержание примесей <5PPM; химическая инертность к аммиаку и водороду при высоких температурах и хорошая термическая стабильность. Так называемый сверхвысокий...Читать далее -
Что такое эпитаксия?
Большинству инженеров незнакома эпитаксия, которая играет важную роль в производстве полупроводниковых приборов. Эпитаксия может использоваться в различных чипах, и разные продукты имеют разные типы эпитаксии, включая эпитаксию Si, эпитаксию SiC, эпитаксию GaN и т. д. Что такое эпитаксия? Эпитаксия - это...Читать далее -
Каковы важные параметры SiC?
Карбид кремния (SiC) — важный полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, широко используемый в мощных и высокочастотных электронных устройствах. Ниже приведены некоторые ключевые параметры пластин карбида кремния и их подробные пояснения: Параметры решетки: Убедитесь, что ...Читать далее -
Почему монокристаллический кремний необходимо прокатывать?
Под прокаткой понимается процесс шлифования внешнего диаметра кремниевого монокристаллического стержня до монокристаллического стержня требуемого диаметра с использованием алмазного шлифовального круга и шлифования плоской кромочной опорной поверхности или позиционирующей канавки монокристаллического стержня. Внешний диаметр поверхности...Читать далее -
Процессы получения высококачественных порошков SiC
Карбид кремния (SiC) — неорганическое соединение, известное своими исключительными свойствами. Встречающийся в природе SiC, известный как муассанит, встречается довольно редко. В промышленности карбид кремния преимущественно производится синтетическими методами. В Semicera Semiconductor мы используем передовые технологии...Читать далее -
Контроль однородности радиального сопротивления при вытягивании кристалла
Основными причинами, влияющими на однородность радиального сопротивления монокристаллов, являются плоскостность границы раздела твердое тело-жидкость и эффект малой плоскости при росте кристаллов. Влияние плоскостности границы раздела твердое тело-жидкость. При росте кристаллов, если расплав перемешивается равномерно. ,...Читать далее -
Почему печь для производства монокристалла с магнитным полем может улучшить качество монокристалла?
Поскольку тигель используется в качестве контейнера и внутри него существует конвекция, по мере увеличения размера образующегося монокристалла становится сложнее контролировать тепловую конвекцию и однородность температурного градиента. Добавляя магнитное поле, заставляющее проводящий расплав действовать под действием силы Лоренца, можно добиться конвекции...Читать далее -
Быстрый рост монокристаллов SiC с использованием объемного источника CVD-SiC методом сублимации
Быстрый рост монокристалла SiC с использованием объемного источника CVD-SiC методом сублимации. Используя переработанные блоки CVD-SiC в качестве источника SiC, кристаллы SiC были успешно выращены со скоростью 1,46 мм/ч методом PVT. Плотность микротрубочек и дислокаций выращенного кристалла указывает на то, что...Читать далее -
Оптимизированный и переведенный контент об оборудовании для эпитаксиального выращивания карбида кремния
Подложки из карбида кремния (SiC) имеют многочисленные дефекты, препятствующие прямой обработке. Для создания пластин-чипов необходимо вырастить специальную монокристаллическую пленку на подложке SiC посредством эпитаксиального процесса. Эта пленка известна как эпитаксиальный слой. Почти все устройства SiC реализованы на эпитаксиальной...Читать далее -
Решающая роль и случаи применения графитовых токоприемников с SiC-покрытием в производстве полупроводников
Semicera Semiconductor планирует увеличить производство основных компонентов для оборудования для производства полупроводников во всем мире. К 2027 году мы стремимся построить новый завод площадью 20 000 квадратных метров с общим объемом инвестиций 70 миллионов долларов США. Один из наших основных компонентов — пластина карбида кремния (SiC).Читать далее -
Зачем нам нужно проводить эпитаксию на подложках кремниевых пластин?
В полупроводниковой производственной цепочке, особенно в полупроводниковой производственной цепочке третьего поколения (широкозонные полупроводники), существуют подложки и эпитаксиальные слои. Каково значение эпитаксиального слоя? В чем разница между подложкой и подложкой? Подстр...Читать далее