-
Процесс производства полупроводников – технология травления
Чтобы превратить пластину в полупроводник, необходимы сотни процессов. Одним из наиболее важных процессов является травление, то есть вырезание на пластине тонких узоров. Успех процесса травления зависит от управления различными переменными в заданном диапазоне распределения, и каждое травление...Читать далее -
Идеальный материал для фокусирующих колец в оборудовании плазменного травления: карбид кремния (SiC).
В оборудовании плазменного травления решающую роль играют керамические компоненты, в том числе кольцо фокусировки. Кольцо фокусировки, расположенное вокруг пластины и находящееся в непосредственном контакте с ней, необходимо для фокусировки плазмы на пластине путем подачи напряжения на кольцо. Это повышает не...Читать далее -
Влияние обработки монокристаллов карбида кремния на качество поверхности пластин
Полупроводниковые силовые устройства занимают ключевую позицию в силовых электронных системах, особенно в контексте быстрого развития таких технологий, как искусственный интеллект, связь 5G и новые энергетические транспортные средства, требования к их производительности были...Читать далее -
Ключевой основной материал для выращивания SiC: покрытие из карбида тантала.
В настоящее время в полупроводниках третьего поколения преобладает карбид кремния. В структуре стоимости ее устройств на подложку приходится 47%, а на эпитаксию – 23%. На долю этих двоих вместе приходится около 70%, что является наиболее важной частью производства устройств из карбида кремния ...Читать далее -
Как изделия с покрытием из карбида тантала повышают коррозионную стойкость материалов?
Покрытие из карбида тантала — это широко используемая технология обработки поверхности, которая может значительно улучшить коррозионную стойкость материалов. Покрытие из карбида тантала можно прикрепить к поверхности подложки с помощью различных методов подготовки, таких как химическое осаждение из паровой фазы, физика...Читать далее -
Вчера Совет по инновациям в области науки и технологий опубликовал объявление о том, что Huazhuo Precision Technology прекратила IPO!
Только что объявлено о поставке первого 8-дюймового оборудования для лазерного отжига SIC в Китае, что также является технологией Цинхуа; Почему они сами отозвали материалы? Всего несколько слов: Во-первых, продукты слишком разнообразны! На первый взгляд, я не знаю, чем они занимаются. В настоящее время Х...Читать далее -
CVD-покрытие карбида кремния-2
CVD-покрытие из карбида кремния 1. Почему существует покрытие из карбида кремния Эпитаксиальный слой представляет собой особую тонкую монокристаллическую пленку, выращенную на основе пластины посредством эпитаксиального процесса. Пластина-подложка и тонкая эпитаксиальная пленка вместе называются эпитаксиальными пластинами. Среди них...Читать далее -
Процесс подготовки покрытия SIC
В настоящее время методы подготовки покрытия SiC в основном включают метод гель-золя, метод заливки, метод нанесения кистью, метод плазменного напыления, метод химической реакции из паровой фазы (CVR) и метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Метод внедренияЭтот метод представляет собой разновидность высокотемпературного твердофазного...Читать далее -
CVD-покрытие карбида кремния-1
Что такое CVD. Химическое осаждение SiC из паровой фазы (CVD) — это процесс вакуумного осаждения, используемый для производства твердых материалов высокой чистоты. Этот процесс часто используется в области производства полупроводников для формирования тонких пленок на поверхности пластин. В процессе получения SiC методом CVD подложка подвергается...Читать далее -
Анализ дислокационной структуры в кристалле SiC методом трассировки лучей с помощью рентгеновской топологической визуализации
Предыстория исследования Важность применения карбида кремния (SiC): Как полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, карбид кремния привлек большое внимание благодаря своим превосходным электрическим свойствам (таким как большая запрещенная зона, более высокая скорость насыщения электронами и теплопроводность). Эти опоры...Читать далее -
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC 3
Проверка роста Затравочные кристаллы карбида кремния (SiC) были приготовлены в соответствии с описанным процессом и проверены с помощью выращивания кристаллов SiC. В качестве платформы для выращивания использовалась индукционная печь для выращивания карбида кремния собственной разработки с температурой роста 2200 ℃, давлением роста 200 Па и...Читать далее -
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC (Часть 2)
2. Экспериментальный процесс 2.1. Отверждение клейкой пленки Было замечено, что непосредственное создание углеродной пленки или склеивание графитовой бумаги на пластинах SiC, покрытых клеем, привело к нескольким проблемам: 1. В условиях вакуума клейкая пленка на пластинах SiC приобрела чешуйчатый вид из-за подписать...Читать далее