-
Процесс подготовки затравочных кристаллов при выращивании монокристаллов SiC
Карбид кремния (SiC) обладает такими преимуществами, как широкая запрещенная зона, высокая теплопроводность, высокая критическая напряженность поля пробоя и высокая скорость дрейфа насыщенных электронов, что делает его очень перспективным в области производства полупроводников. Монокристаллы SiC обычно производятся...Читать далее -
Какие существуют методы полировки пластин?
Из всех процессов, связанных с созданием чипа, окончательная судьба пластины заключается в том, чтобы разрезать ее на отдельные матрицы и упаковать в небольшие закрытые коробки, оставив лишь несколько открытых контактов. Чип будет оцениваться по его пороговым значениям, сопротивлению, току и напряжению, но никто не будет учитывать...Читать далее -
Базовое введение в процесс эпитаксиального роста SiC
Эпитаксиальный слой представляет собой особую монокристаллическую пленку, выращенную на пластине эпитаксиальным процессом, а пластина-подложка и эпитаксиальная пленка называются эпитаксиальной пластиной. Путем выращивания эпитаксиального слоя карбида кремния на проводящей подложке из карбида кремния гомогенный эпитаксиальный слой карбида кремния...Читать далее -
Ключевые моменты контроля качества процесса упаковки полупроводников
Ключевые моменты контроля качества в процессе упаковки полупроводников. В настоящее время технология производства упаковки полупроводников значительно усовершенствована и оптимизирована. Однако в целом процессы и методы упаковки полупроводников еще не достигли самого совершенства...Читать далее -
Проблемы в процессе упаковки полупроводников
Существующие методы изготовления полупроводниковой упаковки постепенно совершенствуются, но степень внедрения автоматизированного оборудования и технологий в полупроводниковую упаковку напрямую определяет реализацию ожидаемых результатов. Существующие процессы упаковки полупроводников все еще страдают от...Читать далее -
Исследование и анализ процесса упаковки полупроводников
Обзор полупроводникового процесса. Полупроводниковый процесс в основном включает в себя применение микротехнологий и пленочных технологий для полного соединения чипов и других элементов в различных областях, таких как подложки и рамки. Это облегчает извлечение выводных клемм и инкапсуляцию с помощью...Читать далее -
Новые тенденции в полупроводниковой промышленности: применение технологии защитных покрытий
Полупроводниковая промышленность переживает беспрецедентный рост, особенно в сфере силовой электроники из карбида кремния (SiC). Поскольку многие крупные заводы по производству пластин находятся в стадии строительства или расширения для удовлетворения растущего спроса на SiC-устройства в электромобилях, это ...Читать далее -
Каковы основные этапы обработки подложек SiC?
Процесс обработки подложек SiC осуществляется следующим образом: 1. Ориентация кристалла: использование дифракции рентгеновских лучей для ориентации кристаллического слитка. Когда рентгеновский луч направляется на нужную грань кристалла, угол дифрагированного луча определяет ориентацию кристалла...Читать далее -
Важный материал, определяющий качество роста монокристалла кремния – тепловое поле.
Процесс роста монокристаллического кремния полностью осуществляется в термическом поле. Хорошее тепловое поле способствует улучшению качества кристаллов и имеет высокую эффективность кристаллизации. Конструкция теплового поля во многом определяет изменения и изменения...Читать далее -
Что такое эпитаксиальный рост?
Эпитаксиальный рост — это технология, при которой монокристаллический слой выращивается на монокристаллической подложке (подложке) с той же ориентацией кристалла, что и подложка, как если бы исходный кристалл расширялся наружу. Этот вновь выращенный монокристаллический слой может отличаться от подложки с точки зрения...Читать далее -
В чем разница между подложкой и эпитаксией?
В процессе подготовки пластин есть два основных звена: одно — подготовка подложки, а другое — реализация эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в производстве пластин...Читать далее -
Раскрытие универсальных характеристик графитовых нагревателей
Графитовые нагреватели стали незаменимыми инструментами в различных отраслях промышленности благодаря своим исключительным свойствам и универсальности. От лабораторий до промышленных предприятий — эти нагреватели играют ключевую роль в самых разных процессах — от синтеза материалов до аналитических методов. Среди различных...Читать далее