-
Ключевые моменты контроля качества процесса упаковки полупроводников
Ключевые моменты контроля качества в процессе упаковки полупроводников. В настоящее время технология производства упаковки полупроводников значительно усовершенствована и оптимизирована. Однако с общей точки зрения процессы и методы упаковки полупроводников еще не достигли самого совершенства...Читать далее -
Проблемы в процессе упаковки полупроводников
Существующие методы упаковки полупроводников постепенно совершенствуются, но степень внедрения автоматизированного оборудования и технологий в упаковку полупроводников напрямую определяет реализацию ожидаемых результатов. Существующие процессы упаковки полупроводников все еще страдают от...Читать далее -
Исследование и анализ процесса упаковки полупроводников
Обзор полупроводникового процесса. Полупроводниковый процесс в основном включает в себя применение микротехнологий и пленочных технологий для полного соединения чипов и других элементов в различных областях, таких как подложки и рамки. Это облегчает извлечение выводных клемм и инкапсуляцию с помощью ...Читать далее -
Новые тенденции в полупроводниковой промышленности: применение технологии защитных покрытий
Полупроводниковая промышленность переживает беспрецедентный рост, особенно в сфере силовой электроники из карбида кремния (SiC). Поскольку многие крупные заводы по производству пластин находятся в стадии строительства или расширения для удовлетворения растущего спроса на SiC-устройства в электромобилях, это ...Читать далее -
Каковы основные этапы обработки подложек SiC?
Процесс обработки подложек SiC осуществляется следующим образом: 1. Ориентация кристалла: использование дифракции рентгеновских лучей для ориентации кристаллического слитка. Когда рентгеновский луч направляется на нужную грань кристалла, угол дифрагированного луча определяет ориентацию кристалла...Читать далее -
Важный материал, определяющий качество роста монокристалла кремния – тепловое поле.
Процесс роста монокристаллического кремния полностью осуществляется в термическом поле. Хорошее тепловое поле способствует улучшению качества кристаллов и имеет высокую эффективность кристаллизации. Конструкция теплового поля во многом определяет изменения и изменения...Читать далее -
Что такое эпитаксиальный рост?
Эпитаксиальный рост — это технология, при которой выращивается монокристаллический слой на монокристаллической подложке (подложке) с той же ориентацией кристалла, что и подложка, как если бы исходный кристалл расширялся наружу. Этот вновь выращенный монокристаллический слой может отличаться от подложки с точки зрения...Читать далее -
В чем разница между подложкой и эпитаксией?
В процессе подготовки пластин есть два основных звена: одно — подготовка подложки, а другое — реализация эпитаксиального процесса. Подложка, пластина, тщательно изготовленная из полупроводникового монокристаллического материала, может быть непосредственно использована в производстве пластин...Читать далее -
Раскрытие универсальных характеристик графитовых нагревателей
Графитовые нагреватели стали незаменимыми инструментами в различных отраслях промышленности благодаря своим исключительным свойствам и универсальности. От лабораторий до промышленных предприятий — эти нагреватели играют ключевую роль в самых разных процессах — от синтеза материалов до аналитических методов. Среди различных...Читать далее -
Подробное объяснение преимуществ и недостатков сухого и мокрого травления.
В производстве полупроводников существует технология, называемая «травлением», при обработке подложки или тонкой пленки, образующейся на подложке. Развитие технологии травления сыграло роль в реализации предсказания, сделанного основателем Intel Гордоном Муром в 1965 году: «...Читать далее -
Раскрытие высокой термической эффективности и звездной стабильности нагревателей из карбида кремния
Нагреватели из карбида кремния (SiC) находятся на переднем крае терморегулирования в полупроводниковой промышленности. В этой статье исследуются исключительная термическая эффективность и замечательная стабильность SiC-нагревателей, проливается свет на их решающую роль в обеспечении оптимальной производительности и надежности в полупроводниковой промышленности.Читать далее -
Исследование характеристик высокой прочности и высокой твердости вафельных лодочек из карбида кремния
Пластины из карбида кремния (SiC) играют решающую роль в полупроводниковой промышленности, облегчая производство высококачественных электронных устройств. В этой статье рассматриваются замечательные особенности вафельных лодочек из карбида кремния, особое внимание уделяется их исключительной прочности и твердости, а также подчеркивается их значимость...Читать далее