Пластина SiC представляет собой плотную керамику с нулевой пористостью, изготовленную на основе SiC и спеченную при температуре 2250 ℃.Содержание SiC составляет более 99,6%, прочность на изгиб более 410 МПа, теплопроводность 140 Вт/МК. Это единственный керамический материал, устойчивый к HF, H2SO4 и другим сильным кислотным воздействиям.。
Преимущества карбидокремниевой керамики:
1, коэффициент теплового расширения мал, очень близок к кремнию;
2, отличная износостойкость, твердость уступает только алмазу;
3, отличная теплопроводность, высокая термостойкость и быстрое рассеивание тепла;
![Карбид кремниевый патрон3](http://www.semi-cera.com/uploads/Silicon-carbide-chuck3.png)
Технические параметры
![Фото 1](http://www.semi-cera.com/uploads/15a6ba392.png)
-
Реакционное спекание по индивидуальному заказу при высокой температуре...
-
Оборудование для лазерной микроструйной резки (LMJ) может быть использовано...
-
Полупроводниковая вафельная лодка из карбида кремния может быть...
-
Полупроводниковая изоляция из оксида алюминия высокой чистоты ...
-
Первая половина – Эпитаксиальное оборудование SiC...
-
Полупроводниковый микропористый керамический вакуумный патрон...