Длинный срок службы покрытый SiC графитовый носитель для солнечной пластины

Краткое описание:

Карбид кремния — это новый тип керамики с высокими экономическими характеристиками и отличными свойствами материала.Благодаря таким характеристикам, как высокая прочность и твердость, устойчивость к высоким температурам, отличная теплопроводность и стойкость к химической коррозии, карбид кремния может противостоять практически всем химическим средам.Таким образом, SiC широко используются в нефтедобывающей, химической, машиностроительной и воздушной сферах, даже в атомной энергетике и в вооруженных силах предъявляют особые требования к SIC.Обычно мы можем предложить уплотнительные кольца для насосов, клапанов, защитную броню и т. д.


Информация о продукте

Теги продукта

Преимущества

Устойчивость к высокотемпературному окислению
Отличная устойчивость к коррозии
Хорошая стойкость к истиранию
Высокий коэффициент теплопроводности
Самосмазывающая способность, низкая плотность
Высокая твердость
Индивидуальный дизайн.

ХГФ (2)
ХГФ (1)

Приложения

-Износостойкое поле: втулка, пластина, пескоструйная насадка, циклонная подкладка, шлифовальный цилиндр и т. д.
-Высокотемпературное поле: плита из карбида кремния, трубка закалочной печи, радиационная трубка, тигель, нагревательный элемент, ролик, балка, теплообменник, труба холодного воздуха, сопло горелки, защитная трубка термопары, лодочка из карбида кремния, конструкция тележки печи, сеттер и т. д.
-Полупроводник из карбида кремния: лодочка для пластин SiC, патрон, лопатка, кассета, диффузионная трубка, вилка для пластин, присоска, направляющая и т. д.
-Уплотнение из карбида кремния: все виды уплотнительных колец, подшипников, втулок и т. д.
-Фотоэлектрическое поле: консольная лопасть, шлифовальный барабан, ролик из карбида кремния и т. д.
-Поле литиевой батареи

ВАФЛЯ (1)

ВАФЛИ (2)

Физические свойства SiC

Свойство Ценить Метод
Плотность 3,21 г/см3 Раковина-поплавок и размер
Удельная теплоемкость 0,66 Дж/г °К Импульсная лазерная вспышка
Предел прочности при изгибе 450 МПа560 МПа 4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300°
Вязкость разрушения 2,94 МПа м1/2 Микроиндентирование
Твердость 2800 Викерс, загрузка 500г.
Модуль упругости Модуль Юнга 450 ГПа430 ГПа 4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300 °C
Размер зерна 2 – 10 мкм СЭМ

Термические свойства SiC

Теплопроводность 250 Вт/м °К Метод лазерной вспышки, RT
Тепловое расширение (КТР) 4,5 х 10-6 °К Комнатная температура до 950 °C, кварцевый дилатометр

Технические параметры

Элемент Единица Данные
РБСиК (SiSiC) НБСиК ССиК РСиК ОСиК
содержание карбида кремния % 85 75 99 99,9 ≥99
Бесплатное содержание кремния % 15 0 0 0 0
Максимальная рабочая температура 1380 1450 1650 г. 1620 г. 1400
Плотность г/см3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Открытая пористость % 0 13-15 0 15-18 7-8
Прочность на изгиб 20 ℃ Мпа 250 160 380 100 /
Прочность на изгиб 1200 ℃ Мпа 280 180 400 120 /
Модуль упругости 20℃ средний балл 330 580 420 240 /
Модуль упругости 1200℃ средний балл 300 / / 200 /
Теплопроводность 1200 ℃ Вт/мК 45 19,6 100-120 36,6 /
Коэффициент температурного расширения K-1х10-6 4,5 4.7 4.1 4,69 /
HV кг/мm2 2115 / 2800 / /

Покрытие CVD из карбида кремния на внешней поверхности керамических изделий из рекристаллизованного карбида кремния может достигать чистоты более 99,9999% для удовлетворения потребностей клиентов в полупроводниковой промышленности.

Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Наш сервис

  • Предыдущий:
  • Следующий: