-
Исследование полупроводниковых эпитаксиальных дисков карбида кремния: преимущества производительности и перспективы применения
В современной области электронных технологий полупроводниковые материалы играют решающую роль. Среди них карбид кремния (SiC) как полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, обладающий превосходными эксплуатационными преимуществами, такими как сильное электрическое поле пробоя, высокая скорость насыщения, h...Читать далее -
Графитовый фетр – инновационный материал, открывающий новую эру науки и техники.
Поскольку это новый материал, графитовый твердый фетр, производственный процесс уникален. В процессе смешивания и валяния волокна графена и стекловолокна взаимодействуют, образуя новый материал, который сохраняет как высокую электропроводность, так и высокую прочность графена и...Читать далее -
Что такое полупроводниковая пластина карбида кремния (SiC)
Полупроводниковые пластины карбида кремния (SiC), этот новый материал, постепенно появившийся в последние годы, с его уникальными физическими и химическими свойствами, придал новую жизнь полупроводниковой промышленности. Пластины SiC, в качестве сырья которых используются монокристаллы, тщательно отбираются...Читать далее -
Процесс производства пластин карбида кремния
Пластина карбида кремния изготавливается из порошка кремния высокой чистоты и порошка углерода высокой чистоты в качестве сырья, а кристалл карбида кремния выращивается методом физического переноса паров (PVT) и перерабатывается в пластину карбида кремния. 1. Синтез сырья: кремний высокой чистоты ...Читать далее -
История карбида кремния и применение покрытий из карбида кремния
Разработка и применение карбида кремния (SiC) 1. Век инноваций в SiC. Путешествие карбида кремния (SiC) началось в 1893 году, когда Эдвард Гудрич Ачесон спроектировал печь Ачесона, используя углеродные материалы для промышленного производства карбида кремния (SiC). ..Читать далее -
Покрытия из карбида кремния: новые прорывы в материаловедении
С развитием науки и техники новый материал покрытия из карбида кремния постепенно меняет нашу жизнь. Это покрытие, которое наносят на поверхность деталей физическим или химическим осаждением из паровой фазы, напылением и другими методами, привлекло большое внимание...Читать далее -
Графитовый ствол с покрытием SiC
Графитовая основа, являющаяся одним из основных компонентов оборудования MOCVD, является несущим и нагревательным телом подложки, что напрямую определяет однородность и чистоту материала пленки, поэтому ее качество напрямую влияет на подготовку эпитаксиального листа, а также на подготовку эпитаксиального листа. ..Читать далее -
Способ получения покрытия из карбида кремния
В настоящее время методы подготовки покрытия SiC в основном включают метод гель-золя, метод заливки, метод нанесения кистью, метод плазменного напыления, метод химической газовой реакции (CVR) и метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Метод встраивания: метод является своего рода высшим...Читать далее -
Поздравляем нашего（Semicera）, партнера, SAN 'an Optoelectronics, с ростом курса акций
24 октября — Акции San'an Optoelectronics выросли сегодня на 3,8 после того, как китайский производитель полупроводников заявил, что его завод по производству карбида кремния, который будет поставлять совместное предприятие фирмы по производству автомобильных чипов со швейцарским технологическим гигантом ST Microelectronics, как только оно будет завершено. .Читать далее -
Прорыв в технологии эпитаксии карбида кремния: лидерство в производстве кремниевых/карбидных эпитаксиальных реакторов в Китае
Мы рады сообщить о революционном достижении нашей компании в области технологии эпитаксии карбида кремния. Наш завод гордится тем, что является одним из ведущих производителей в Китае, производящих эпитаксиальные реакторы из кремния/карбида. Благодаря нашей приверженности исключительному качеству...Читать далее -
Новый прорыв: наша компания освоила технологию нанесения покрытий из карбида тантала для увеличения срока службы компонентов и повышения производительности
Чжэцзян, 20.10.2023 – Делая значительный шаг на пути к технологическому прогрессу, наша компания с гордостью объявляет об успешной разработке технологии покрытия из карбида тантала (TaC). Это прорывное достижение обещает произвести революцию в отрасли, значительно...Читать далее -
Меры предосторожности при использовании конструкционных деталей из глиноземной керамики
В последние годы глиноземная керамика широко используется в таких высокотехнологичных областях, как приборостроение, пищевая медицина, солнечные фотоэлектрические, механические и электрические приборы, лазерные полупроводники, нефтяное оборудование, автомобильная военная промышленность, аэрокосмическая промышленность и другие...Читать далее