Полупроводникпластины карбида кремния (SiC)Этот новый материал, постепенно появившийся в последние годы, с его уникальными физическими и химическими свойствами, придал новую жизнь полупроводниковой промышленности.SiC пластины, использующие монокристаллы в качестве сырья, тщательно выращиваются методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), и их внешний вид открывает возможности для производства высокотемпературных, высокочастотных и мощных электронных устройств.
В области силовой электроникиSiC пластиныиспользуются при производстве высокоэффективных преобразователей мощности, зарядных устройств, блоков питания и другой продукции.В области связи он используется для производства высокочастотных и высокоскоростных радиочастотных устройств и оптоэлектронных устройств, закладывая прочный краеугольный камень шоссе информационной эпохи.В области автомобильной электроникиSiC пластинысоздать высоковольтные высоконадежные автомобильные электронные устройства, обеспечивающие безопасность вождения водителя.
Благодаря постоянному развитию технологий технология производстваSiC пластиныстановится все более зрелым, и цена постепенно снижается.Этот новый материал демонстрирует большой потенциал в улучшении производительности устройств, снижении энергопотребления и повышении конкурентоспособности продукции.Заглядывая вперед,SiC пластиныбудет играть более важную роль в полупроводниковой промышленности, принося больше удобства и безопасности в нашу жизнь.
Давайте с нетерпением ждем этой яркой полупроводниковой звезды – пластины SiC, чтобы будущее научно-технического прогресса описывало еще более блестящую главу.
Время публикации: 27 ноября 2023 г.