Подложки карбида кремния | Пластины SiC

Краткое описание:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. является ведущим поставщиком, специализирующимся на пластинах и современных полупроводниковых расходных материалах.Мы стремимся предоставлять высококачественную, надежную и инновационную продукцию для производства полупроводников, фотоэлектрической промышленности и других смежных областей.

Наша линейка продуктов включает в себя графитовые изделия с покрытием SiC/TaC и керамические изделия, включающие в себя различные материалы, такие как карбид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия и т. д.

В настоящее время мы являемся единственным производителем, обеспечивающим покрытие SiC чистотой 99,9999% и рекристаллизованным карбидом кремния 99,9%.Максимальная длина покрытия SiC, которую мы можем сделать, составляет 2640 мм.

Отправьте нам электронное письмо

Информация о продукте

Теги продукта

Монокристаллический материал карбида кремния (SiC) имеет большую ширину запрещенной зоны (~Si в 3 раза), высокую теплопроводность (~Si в 3,3 раза или GaAs в 10 раз), высокую скорость миграции электронов (~Si в 2,5 раза), высокую электрическую проводимость пробоя. поле (~Si в 10 раз или GaAs в 5 раз) и другие выдающиеся характеристики.

Устройства SiC обладают незаменимыми преимуществами в области высоких температур, высокого давления, высокой частоты, мощных электронных устройств и экстремальных экологических применений, таких как аэрокосмическая, военная, ядерная энергетика и т. д., которые на практике компенсируют недостатки традиционных устройств из полупроводниковых материалов. приложений и постепенно становятся основным направлением силовых полупроводников.

Характеристики подложки из карбида кремния 4H-SiC

Пункт 项目	Технические характеристики
Политип 晶型	4H-SiC	6H-SiC
Диаметр 晶圆直径	2 дюйма \|3 дюйма \|4 дюйма \|6 дюймов	2 дюйма \|3 дюйма \|4 дюйма \|6 дюймов
Толщина 厚度	330 мкм ~ 350 мкм	330 мкм ~ 350 мкм
Проводимость 导电类型	Н – тип / Полуизолирующий N型导电 фото/ фото	Н – тип / Полуизолирующий N型导电 фото/ фото
легирующая примочка 掺杂剂	N2 (Азот)V (Ванадий)	N2 (Азот) V (Ванадий)
Ориентация 晶向	По оси <0001> Вне оси <0001> выкл. 4°	По оси <0001> Вне оси <0001> выкл. 4°
Удельное сопротивление 电阻率	0,015 ~ 0,03 Ом-см (4H-N)	0,02 ~ 0,1 Ом-см (6H-N)
Плотность микротруб (MPD) 微管密度	≤10/см2 ~ ≤1/см2	≤10/см2 ~ ≤1/см2
ТТВ 总厚度变化	≤ 15 мкм	≤ 15 мкм
Лук/Деформация 翘曲度	≤25 мкм	≤25 мкм
Поверхность 表面处理	ЦСП/ССП	ЦСП/ССП
Оценка 产品等级	Производственный/Исследовательский уровень	Производственный/Исследовательский уровень
Последовательность укладки кристаллов 堆积方式	АВСВ	АВСАВС
Параметр решетки 晶格参数	а=3,076А, с=10,053А	а=3,073А, с=15,117А
Например,/эВ (зона запрещенной зоны) 禁带宽度	3,27 эВ	3,02 эВ
ε (диэлектрическая проницаемость) 介电常数	9,6	9,66
Индекс преломления 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Характеристики подложки из карбида кремния 6H-SiC

Пункт 项目	Технические характеристики
Политип 晶型	6H-SiC
Диаметр 晶圆直径	4 дюйма \|6 дюймов
Толщина 厚度	350 мкм ~ 450 мкм
Проводимость 导电类型	Н – тип / Полуизолирующий N型导电 фото/ фото
легирующая примочка 掺杂剂	N2(Азот) V (Ванадий)
Ориентация 晶向	<0001> выкл. 4°± 0,5°
Удельное сопротивление 电阻率	0,02 ~ 0,1 Ом-см (Тип 6H-N)
Плотность микротруб (MPD) 微管密度	≤ 10/см2
ТТВ 总厚度变化	≤ 15 мкм
Лук/Деформация 翘曲度	≤25 мкм
Поверхность 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready Лицо C: оптическая полировка
Оценка 产品等级	Уровень исследования