Подложка 4H-SiC P-типа, угол наклона 4°, 2~6 дюймов

Подложки Semicera из 4H-SiC P-типа с углом наклона 4° и размером 2–6 дюймов разработаны для удовлетворения растущих потребностей производителей высокопроизводительных силовых и радиочастотных устройств. Ориентация под углом 4° обеспечивает оптимизированный эпитаксиальный рост, что делает эту подложку идеальной основой для ряда полупроводниковых устройств, включая МОП-транзисторы, IGBT и диоды.

Эта подложка из 4H-SiC P-типа со скошенным углом 4° размером 2–6 дюймов обладает превосходными свойствами материала, включая высокую теплопроводность, отличные электрические характеристики и выдающуюся механическую стабильность. Ориентация под углом помогает снизить плотность микротрубок и способствует более гладким эпитаксиальным слоям, что имеет решающее значение для повышения производительности и надежности конечного полупроводникового устройства.

Подложки Semicera размером 2–6 дюймов из 4H-SiC P-типа под углом 4° доступны в различных диаметрах, от 2 до 6 дюймов, для удовлетворения различных производственных требований. Наши подложки точно спроектированы так, чтобы обеспечить одинаковый уровень легирования и высококачественные характеристики поверхности, гарантируя, что каждая пластина соответствует строгим спецификациям, необходимым для передовых электронных приложений.

Приверженность Semicera инновациям и качеству гарантирует, что наши подложки P-типа 4H-SiC размером 2–6 дюймов с углом наклона 4° обеспечивают стабильную производительность в широком спектре приложений, от силовой электроники до высокочастотных устройств. Этот продукт представляет собой надежное решение для следующего поколения энергоэффективных и высокопроизводительных полупроводников, поддерживая технологические достижения в таких отраслях, как автомобилестроение, телекоммуникации и возобновляемые источники энергии.