4-дюймовая полуизолирующая подложка HPSI SiC высокой чистоты с двухсторонней полировкой

Краткое описание:

4-дюймовые полуизолирующие (HPSI) SiC-подложки с двухсторонней полировкой компании Semicera разработаны с высокой точностью и обеспечивают превосходные электронные характеристики. Эти пластины обеспечивают превосходную теплопроводность и электрическую изоляцию, что идеально подходит для современных полупроводниковых приложений. Доверьтесь компании Semicera, которая обеспечивает непревзойденное качество и инновации в технологии производства пластин.


Детали продукта

Теги продукта

4-дюймовые полуизолирующие подложки SiC высокой чистоты (HPSI) с двухсторонней полировкой компании Semicera созданы для удовлетворения строгих требований полупроводниковой промышленности. Эти подложки отличаются исключительной плоскостностью и чистотой и представляют собой оптимальную платформу для самых современных электронных устройств.

Эти пластины HPSI SiC отличаются превосходной теплопроводностью и электроизоляционными свойствами, что делает их отличным выбором для высокочастотных и мощных приложений. Процесс двусторонней полировки обеспечивает минимальную шероховатость поверхности, что имеет решающее значение для повышения производительности и долговечности устройства.

Высокая чистота пластин SiC компании Semicera сводит к минимуму дефекты и примеси, что приводит к более высоким показателям выхода продукции и надежности устройств. Эти подложки подходят для широкого спектра применений, включая микроволновые устройства, силовую электронику и светодиодные технологии, где точность и долговечность имеют важное значение.

Уделяя особое внимание инновациям и качеству, Semicera использует передовые технологии производства для производства пластин, отвечающих строгим требованиям современной электроники. Двусторонняя полировка не только повышает механическую прочность, но и способствует лучшей интеграции с другими полупроводниковыми материалами.

Выбирая 4-дюймовые полуизолирующие двухсторонне полированные подложки из карбида кремния HPSI высокой чистоты от Semicera, производители могут воспользоваться преимуществами улучшенного терморегулирования и электрической изоляции, открывая путь для разработки более эффективных и мощных электронных устройств. Semicera продолжает лидировать в отрасли благодаря своей приверженности качеству и технологическому прогрессу.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: