4-дюймовые SiC-подложки N-типа компании Semicera созданы в соответствии со строгими стандартами полупроводниковой промышленности. Эти подложки обеспечивают высокопроизводительную основу для широкого спектра электронных приложений, обеспечивая исключительную проводимость и тепловые свойства.
Легирование N-типом этих подложек SiC повышает их электропроводность, что делает их особенно подходящими для мощных и высокочастотных приложений. Это свойство обеспечивает эффективную работу таких устройств, как диоды, транзисторы и усилители, где минимизация потерь энергии имеет решающее значение.
Semicera использует самые современные производственные процессы, чтобы гарантировать превосходное качество и однородность поверхности каждой подложки. Эта точность имеет решающее значение для приложений в силовой электронике, микроволновых устройствах и других технологиях, требующих надежной работы в экстремальных условиях.
Включение SiC-подложек Semicera N-типа в вашу производственную линию означает получение преимуществ от материалов, которые обеспечивают превосходное рассеивание тепла и электрическую стабильность. Эти подложки идеально подходят для создания компонентов, требующих долговечности и эффективности, таких как системы преобразования энергии и радиочастотные усилители.
Выбирая 4-дюймовые SiC-подложки N-типа компании Semicera, вы инвестируете в продукт, который сочетает в себе инновационные науки о материалах и тщательное мастерство изготовления. Semicera продолжает лидировать в отрасли, предоставляя решения, которые поддерживают разработку передовых полупроводниковых технологий, обеспечивая высокую производительность и надежность.
Предметы | Производство | Исследовать | Дурачок |
Параметры кристалла | |||
Политип | 4H | ||
Ошибка ориентации поверхности | <11-20 >4±0,15° | ||
Электрические параметры | |||
легирующая примочка | Азот n-типа | ||
Удельное сопротивление | 0,015-0,025 Ом·см | ||
Механические параметры | |||
Диаметр | 150,0±0,2 мм | ||
Толщина | 350±25 мкм | ||
Первичная плоская ориентация | [1-100]±5° | ||
Первичная плоская длина | 47,5±1,5 мм | ||
Вторичная квартира | Никто | ||
ТТВ | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
Общая ценность | ≤3 мкм (5 мм*5 мм) | ≤5 мкм (5 мм*5 мм) | ≤10 мкм (5 мм*5 мм) |
Поклон | -15 мкм ~ 15 мкм | -35 мкм ~ 35 мкм | -45 мкм ~ 45 мкм |
Деформация | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Структура | |||
Плотность микротрубок | <1 шт./см2 | <10 шт/см2 | <15 шт/см2 |
Металлические примеси | ≤5E10атомов/см2 | NA | |
БЛД | ≤1500 шт/см2 | ≤3000 шт/см2 | NA |
ТСД | ≤500 шт/см2 | ≤1000 шт/см2 | NA |
Переднее качество | |||
Передний | Si | ||
Чистота поверхности | Si-лицо CMP | ||
Частицы | ≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм) | NA | |
Царапины | ≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр | Совокупная длина≤2*диаметр | NA |
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения | Никто | NA | |
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины | Никто | ||
Политипные области | Никто | Совокупная площадь≤20% | Совокупная площадь≤30% |
Передняя лазерная маркировка | Никто | ||
Назад Качество | |||
Задняя отделка | C-образная грань CMP | ||
Царапины | ≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр | NA | |
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) | Никто | ||
Задняя шероховатость | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Задняя лазерная маркировка | 1 мм (от верхнего края) | ||
Край | |||
Край | Фаска | ||
Упаковка | |||
Упаковка | Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка | ||
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD. |