4-дюймовая подложка SiC N-типа

Краткое описание:

4-дюймовые SiC-подложки N-типа компании Semicera тщательно разработаны для обеспечения превосходных электрических и тепловых характеристик в силовой электронике и высокочастотных приложениях. Эти подложки обладают превосходной проводимостью и стабильностью, что делает их идеальными для полупроводниковых устройств нового поколения. Доверьтесь Semicera в отношении точности и качества современных материалов.


Детали продукта

Теги продукта

4-дюймовые SiC-подложки N-типа компании Semicera созданы в соответствии со строгими стандартами полупроводниковой промышленности. Эти подложки обеспечивают высокопроизводительную основу для широкого спектра электронных приложений, обеспечивая исключительную проводимость и тепловые свойства.

Легирование N-типом этих подложек SiC повышает их электропроводность, что делает их особенно подходящими для мощных и высокочастотных приложений. Это свойство обеспечивает эффективную работу таких устройств, как диоды, транзисторы и усилители, где минимизация потерь энергии имеет решающее значение.

Semicera использует самые современные производственные процессы, чтобы гарантировать превосходное качество и однородность поверхности каждой подложки. Эта точность имеет решающее значение для приложений в силовой электронике, микроволновых устройствах и других технологиях, требующих надежной работы в экстремальных условиях.

Включение SiC-подложек N-типа Semicera в вашу производственную линию означает получение преимуществ от материалов, которые обеспечивают превосходное рассеивание тепла и электрическую стабильность. Эти подложки идеально подходят для создания компонентов, требующих долговечности и эффективности, таких как системы преобразования мощности и радиочастотные усилители.

Выбирая 4-дюймовые SiC-подложки N-типа компании Semicera, вы инвестируете в продукт, который сочетает в себе инновационные науки о материалах и тщательное мастерство изготовления. Semicera продолжает лидировать в отрасли, предоставляя решения, которые поддерживают разработку передовых полупроводниковых технологий, обеспечивая высокую производительность и надежность.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: