4″ 6″ Полуизолирующий слиток SiC высокой чистоты

Краткое описание:

Полуизолирующие слитки SiC высокой чистоты размером 4 дюйма и 6 дюймов тщательно созданы для передовых электронных и оптоэлектронных приложений. Обладая превосходной теплопроводностью и удельным электрическим сопротивлением, эти слитки обеспечивают надежную основу для высокопроизводительных устройств. Semicera гарантирует неизменное качество и надежность каждого продукта.


Детали продукта

Теги продукта

Полуизолирующие слитки SiC высокой чистоты размером 4 дюйма 6 дюймов компании Semicera разработаны с учетом строгих стандартов полупроводниковой промышленности. Эти слитки производятся с упором на чистоту и стабильность, что делает их идеальным выбором для мощных и высокочастотных применений, где производительность имеет первостепенное значение.

Уникальные свойства этих слитков SiC, в том числе высокая теплопроводность и превосходное удельное электрическое сопротивление, делают их особенно подходящими для использования в силовой электронике и микроволновых устройствах. Их полуизолирующая природа обеспечивает эффективное рассеивание тепла и минимальные электрические помехи, что приводит к созданию более эффективных и надежных компонентов.

Semicera использует самые современные производственные процессы для производства слитков исключительного качества и однородности кристаллов. Такая точность гарантирует, что каждый слиток можно будет надежно использовать в чувствительных приложениях, таких как высокочастотные усилители, лазерные диоды и другие оптоэлектронные устройства.

Слитки SiC Semicera, доступные как в размерах 4 дюйма, так и в 6 дюймов, обеспечивают гибкость, необходимую для различных масштабов производства и технологических требований. Будь то исследования и разработки или массовое производство, эти слитки обеспечивают производительность и долговечность, необходимые современным электронным системам.

Выбирая полуизоляционные слитки SiC высокой чистоты Semicera, вы инвестируете в продукт, который сочетает в себе передовые технологии материаловедения с беспрецедентным производственным опытом. Semicera стремится поддерживать инновации и рост полупроводниковой промышленности, предлагая материалы, которые позволяют разрабатывать передовые электронные устройства.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: