6-дюймовая пластина SiC N-типа

Краткое описание:

6-дюймовая пластина SiC N-типа компании Semicera обеспечивает превосходную теплопроводность и высокую напряженность электрического поля, что делает ее превосходным выбором для силовых и радиочастотных устройств. Эта пластина, созданная с учетом требований отрасли, демонстрирует приверженность Semicera качеству и инновациям в области полупроводниковых материалов.


Детали продукта

Теги продукта

6-дюймовая пластина SiC N-типа компании Semicera находится на переднем крае полупроводниковых технологий. Созданная для оптимальной производительности, эта пластина отлично подходит для мощных, высокочастотных и высокотемпературных приложений, необходимых для современных электронных устройств.

Наша 6-дюймовая пластина SiC N-типа отличается высокой подвижностью электронов и низким сопротивлением открытого состояния, что является критическими параметрами для силовых устройств, таких как МОП-транзисторы, диоды и другие компоненты. Эти свойства обеспечивают эффективное преобразование энергии и снижение тепловыделения, повышая производительность и срок службы электронных систем.

Строгие процессы контроля качества Semicera гарантируют, что каждая пластина SiC сохраняет превосходную плоскостность поверхности и минимальное количество дефектов. Такое пристальное внимание к деталям гарантирует, что наши пластины отвечают строгим требованиям таких отраслей, как автомобилестроение, авиакосмическая промышленность и телекоммуникации.

В дополнение к своим превосходным электрическим свойствам пластина SiC N-типа обеспечивает надежную термическую стабильность и устойчивость к высоким температурам, что делает ее идеальной для сред, в которых обычные материалы могут выйти из строя. Эта возможность особенно ценна в приложениях, в которых используются высокочастотные и мощные операции.

Выбирая 6-дюймовую пластину SiC N-типа от Semicera, вы инвестируете в продукт, который представляет собой вершину полупроводниковых инноваций. Мы стремимся предоставлять строительные блоки для передовых устройств, гарантируя, что наши партнеры в различных отраслях имеют доступ к лучшим материалам для своих технологических достижений.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: