6-дюймовая полуизолирующая пластина HPSI SiC

Краткое описание:

6-дюймовые полуизолирующие пластины HPSI SiC компании Semicera разработаны для максимальной эффективности и надежности в высокопроизводительной электронике. Эти пластины обладают превосходными тепловыми и электрическими свойствами, что делает их идеальными для различных применений, включая силовые устройства и высокочастотную электронику. Выбирайте Semicera за превосходное качество и инновации.


Детали продукта

Теги продукта

6-дюймовые полуизолирующие пластины HPSI SiC компании Semicera разработаны с учетом строгих требований современных полупроводниковых технологий. Обладая исключительной чистотой и стабильностью, эти пластины служат надежной основой для разработки высокоэффективных электронных компонентов.

Эти пластины HPSI SiC известны своей выдающейся теплопроводностью и электроизоляцией, которые имеют решающее значение для оптимизации производительности силовых устройств и высокочастотных цепей. Полуизоляционные свойства помогают минимизировать электрические помехи и максимизировать эффективность устройства.

Высококачественный производственный процесс, используемый Semicera, гарантирует, что каждая пластина имеет одинаковую толщину и минимальные поверхностные дефекты. Эта точность необходима для современных приложений, таких как радиочастотные устройства, инверторы мощности и светодиодные системы, где производительность и долговечность являются ключевыми факторами.

Используя самые современные технологии производства, Semicera производит пластины, которые не только соответствуют отраслевым стандартам, но и превосходят их. Размер 6 дюймов обеспечивает гибкость при расширении производства, обеспечивая как исследовательские, так и коммерческие приложения в полупроводниковом секторе.

Выбор 6-дюймовых полуизолирующих пластин HPSI SiC компании Semicera означает инвестирование в продукт, который обеспечивает стабильное качество и производительность. Эти пластины являются частью стремления Semicera расширить возможности полупроводниковых технологий с помощью инновационных материалов и тщательного мастерства.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: