8-дюймовая проводящая подложка SiC n-типа

Краткое описание:

8-дюймовая подложка SiC n-типа представляет собой усовершенствованную монокристаллическую подложку из карбида кремния (SiC) n-типа диаметром от 195 до 205 мм и толщиной от 300 до 650 микрон. Эта подложка имеет высокую концентрацию легирующих примесей и тщательно оптимизированный профиль концентрации, обеспечивая превосходные характеристики для различных полупроводниковых применений.

 


Детали продукта

Теги продукта

Проводящая подложка SiC n-типа толщиной 8 дюймов обеспечивает непревзойденную производительность для силовых электронных устройств, обеспечивая отличную теплопроводность, высокое напряжение пробоя и превосходное качество для передовых полупроводниковых приложений. Компания Semicera предлагает ведущие в отрасли решения на основе разработанной 8-дюймовой проводящей подложки SiC n-типа.

8-дюймовая проводящая подложка SiC n-типа компании Semicera представляет собой передовой материал, разработанный для удовлетворения растущих потребностей силовой электроники и высокопроизводительных полупроводниковых приложений. Подложка сочетает в себе преимущества карбида кремния и проводимости n-типа, обеспечивая непревзойденную производительность в устройствах, требующих высокой плотности мощности, теплового КПД и надежности.

8-дюймовая проводящая подложка SiC n-типа компании Semicera тщательно разработана для обеспечения превосходного качества и стабильности. Он обладает превосходной теплопроводностью для эффективного рассеивания тепла, что делает его идеальным для применений с высокой мощностью, таких как силовые инверторы, диоды и транзисторы. Кроме того, высокое напряжение пробоя этой подложки гарантирует, что она выдержит сложные условия, обеспечивая надежную платформу для высокопроизводительной электроники.

Компания Semicera осознает важную роль, которую 8-дюймовая проводящая подложка SiC n-типа играет в развитии полупроводниковых технологий. Наши подложки производятся с использованием самых современных процессов, обеспечивающих минимальную плотность дефектов, что имеет решающее значение для разработки эффективных устройств. Такое внимание к деталям позволяет создавать продукцию, обеспечивающую производство электроники нового поколения, с более высокой производительностью и долговечностью.

Наша 8-дюймовая проводящая подложка SiC n-типа также предназначена для удовлетворения потребностей широкого спектра применений, от автомобилестроения до возобновляемых источников энергии. Проводимость n-типа обеспечивает электрические свойства, необходимые для разработки эффективных силовых устройств, что делает эту подложку ключевым компонентом при переходе к более энергоэффективным технологиям.

В Semicera мы стремимся предоставлять подложки, которые способствуют инновациям в производстве полупроводников. Проводящая подложка SiC n-типа толщиной 8 дюймов является свидетельством нашей приверженности качеству и совершенству, гарантируя, что наши клиенты получат наилучший материал для своих применений.

Основные параметры

Размер 8-дюймовый
Диаметр 200,0 мм+0 мм/-0,2 мм
Ориентация поверхности вне оси: 4° в сторону <1120>–0,5°
Ориентация выреза <1100>1°
Угол выреза 90°+5°/-1°
Глубина выреза 1 мм+0,25 мм/-0 мм
Вторичная квартира /
Толщина 500,0–25,0 мкм/350,0±25,0 мкм
Политип 4H
Проводящий тип n-типа
8-дюймовый n-тип, так называемый Субстрат-2
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: