Атомно-слоевое осаждение (ALD) — это технология химического осаждения из паровой фазы, при которой тонкие пленки растут слой за слоем путем поочередного введения двух или более молекул-предшественников. ALD обладает преимуществами высокой управляемости и единообразия и может широко использоваться в полупроводниковых устройствах, оптоэлектронных устройствах, устройствах накопления энергии и других областях. Основные принципы ALD включают адсорбцию прекурсоров, поверхностную реакцию и удаление побочных продуктов, а многослойные материалы могут быть сформированы путем повторения этих этапов в цикле. ALD обладает характеристиками и преимуществами высокой управляемости, однородности и непористой структуры и может использоваться для нанесения различных подложек и различных материалов.
ALD имеет следующие характеристики и преимущества:
1. Высокая управляемость:Поскольку ALD представляет собой процесс послойного выращивания, можно точно контролировать толщину и состав каждого слоя материала.
2. Однородность:ALD позволяет равномерно наносить материалы на всю поверхность подложки, избегая неравномерности, которая может возникнуть при других технологиях осаждения.
3. Непористая структура:Поскольку ALD осаждается единицами из отдельных атомов или отдельных молекул, получаемая пленка обычно имеет плотную непористую структуру.
4. Хорошая производительность покрытия:ALD может эффективно охватывать структуры с высоким соотношением сторон, такие как массивы нанопор, материалы с высокой пористостью и т. д.
5. Масштабируемость:ALD можно использовать для различных материалов подложек, включая металлы, полупроводники, стекло и т. д.
6. Универсальность:Выбирая различные молекулы-предшественники, в процессе ALD можно осаждать различные материалы, такие как оксиды металлов, сульфиды, нитриды и т. д.
