Сырье из карбида кремния CVD высокой чистоты

Краткое описание:

Высокочистый карбид кремния Semicera CVD представляет собой полупроводниковый материал с превосходными характеристиками. Он изготовлен методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) и имеет превосходные характеристики, такие как высокая чистота, высокая степень формования и низкая плотность дефектов. Это идеальный базовый материал для изготовления высокопроизводительных устройств из карбида кремния.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Сырьевой материал CVD SiC высокой чистоты от Semicera — это современный материал, разработанный для использования в высокопроизводительных приложениях, требующих исключительной термической стабильности, твердости и электрических свойств. Изготовленное из высококачественного карбида кремния методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), это сырье обеспечивает превосходную чистоту и консистенцию, что делает его идеальным для производства полупроводников, высокотемпературных покрытий и других прецизионных промышленных применений.

Сырьевой материал CVD SiC высокой чистоты Semicera известен своей превосходной стойкостью к износу, окислению и тепловому удару, обеспечивая надежную работу даже в самых сложных условиях. Независимо от того, используется ли этот материал в производстве полупроводниковых приборов, абразивных инструментов или современных покрытий, он обеспечивает прочную основу для высокопроизводительных применений, требующих самых высоких стандартов чистоты и точности.

Используя сырье CVD SiC высокой чистоты от Semicera, производители могут достичь превосходного качества продукции и операционной эффективности. Этот материал используется во многих отраслях промышленности, от электроники до энергетики, обеспечивая непревзойденную долговечность и производительность.

Сырье из карбида кремния Semicera высокой чистоты CVD имеет следующие характеристики:

▪Высокая чистота:чрезвычайно низкое содержание примесей, обеспечивающее надежность устройства.

▪Высокая кристалличность:идеальная кристаллическая структура, способствующая улучшению производительности устройства.

▪Низкая плотность дефектов:небольшое количество дефектов, снижающее ток утечки устройства.

▪Большой размер:Подложки из карбида кремния большого размера могут быть предоставлены для удовлетворения потребностей различных клиентов.

▪Индивидуальный сервис:Различные типы и характеристики карбидокремниевых материалов могут быть настроены в соответствии с потребностями клиентов.

u_107204252_192496881&fm_30&app_106&f_JPEG

Преимущества продукта

▪ Широкая запрещенная зона:Карбид кремния имеет широкую запрещенную зону, что позволяет ему иметь превосходные характеристики в суровых условиях, таких как высокая температура, высокое давление и высокая частота.

▪Высокое напряжение пробоя:Устройства из карбида кремния имеют более высокое напряжение пробоя и позволяют производить устройства более высокой мощности.

▪Высокая теплопроводность:Карбид кремния обладает отличной теплопроводностью, что способствует отводу тепла устройством.

▪Высокая подвижность электронов:Устройства из карбида кремния имеют более высокую подвижность электронов, что позволяет увеличить рабочую частоту устройства.