Носитель/токоприемник SiC высокой чистоты

Носитель/токоприемник из карбида кремния высокой чистоты

Краткое описание:

Подшипниковый диск из карбида кремния также известен как лоток SIC, травильный диск из карбида кремния, травильный диск ICP. Лоток из карбида кремния для светодиодного травления (лоток SiC) φ600 мм — специальный аксессуар для глубокого травления кремния (автомат для травления ICP).

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Описание

Керамика из карбида кремния обладает превосходными механическими свойствами при комнатной температуре, такими как высокая прочность, высокая твердость, высокий модуль упругости и т. д., она также обладает превосходной высокотемпературной стабильностью, такой как высокая теплопроводность, низкий коэффициент теплового расширения, а также хорошая удельная жесткость и оптические характеристики. производительность обработки.
Они особенно подходят для производства прецизионных керамических деталей для оборудования на интегральных схемах, такого как литографические машины, которые в основном используются для изготовления SiC-носителей/токоприемников, SiC-ложек, присасывающих дисков, пластин водяного охлаждения, прецизионных измерительных отражателей, решеток и других керамических конструкционных деталей.

перевозчик2

перевозчик3

перевозчик4

Преимущества

Высокая термостойкость: нормальное использование при 1800 ℃.
Высокая теплопроводность: эквивалентна графитовому материалу.
Высокая твердость: по твердости уступает только алмазу и нитриду бора.
Коррозионная стойкость: сильная кислота и щелочь не подвержены коррозии, коррозионная стойкость лучше, чем у карбида вольфрама и оксида алюминия.
Легкий вес: низкая плотность, близка к алюминию.
Отсутствие деформации: низкий коэффициент теплового расширения.
Устойчивость к термическому удару: он может выдерживать резкие изменения температуры, противостоять тепловому удару и имеет стабильную производительность.
Носители из карбида кремния, такие как носитель для травления, датчик ICP для травления, широко используются в полупроводниковой CVD, вакуумном напылении и т. д. Мы можем предоставить клиентам индивидуальные носители пластин из кремния и карбидокремниевых материалов для различных применений.

Преимущества

Свойство	Ценить	Метод
Плотность	3,21 г/см3	Раковина-поплавок и размер
Удельная теплоемкость	0,66 Дж/г °К	Импульсная лазерная вспышка
Прочность на изгиб	450 МПа560 МПа	4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300°
Вязкость разрушения	2,94 МПа м1/2	Микроиндентирование
Твердость	2800	Викерс, загрузка 500г.
Модуль упругости Модуль Юнга	450 ГПа430 ГПа	4-точечный изгиб, RT4-точечный изгиб, 1300 °C
Размер зерна	2 – 10 мкм	СЭМ

Профиль компании

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. является ведущим поставщиком современной полупроводниковой керамики и единственным производителем в Китае, который может одновременно поставлять керамику из карбида кремния высокой чистоты (особенно рекристаллизованный SiC) и покрытие CVD SiC. Кроме того, наша компания также занимается керамическим производством, таким как оксид алюминия, нитрид алюминия, цирконий, нитрид кремния и т. д.

Наша основная продукция включает в себя: травильный диск из карбида кремния, лодочный жгут из карбида кремния, лодочку для пластин из карбида кремния (фотоэлектрические и полупроводниковые), печную трубку из карбида кремния, консольную лопасть из карбида кремния, патроны из карбида кремния, балку из карбида кремния, а также CVD-покрытие SiC и TaC. покрытие. Продукция, в основном используемая в полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, такая как оборудование для выращивания кристаллов, эпитаксии, травления, упаковки, нанесения покрытий и диффузионных печей и т. д.
о (2)