Подложка InP и CdTe

Краткое описание:

Решения Semicera InP и CdTe Substrate предназначены для высокопроизводительных приложений в полупроводниковой и солнечной энергетике. Наши подложки InP (фосфид индия) и CdTe (теллурид кадмия) обладают исключительными свойствами материала, включая высокую эффективность, отличную электропроводность и надежную термическую стабильность. Эти подложки идеально подходят для использования в современных оптоэлектронных устройствах, высокочастотных транзисторах и тонкопленочных солнечных элементах, обеспечивая надежную основу для передовых технологий.


Детали продукта

Теги продукта

С SemiceraПодложка InP и CdTe, вы можете рассчитывать на превосходное качество и точность, отвечающие конкретным потребностям ваших производственных процессов. Будь то фотоэлектрические приложения или полупроводниковые устройства, наши подложки созданы для обеспечения оптимальной производительности, долговечности и стабильности. Являясь надежным поставщиком, Semicera стремится поставлять высококачественные, настраиваемые решения для подложек, которые способствуют инновациям в секторах электроники и возобновляемых источников энергии.

Кристаллические и электрические свойства1

Тип
легирующая примочка
ЭПД(см–2)(См. ниже А.)
DF (без дефектов) площадь (см)2, См. ниже Б.)
с/(с см–3
Мобильность(у см2/Против)
Сопротивление (y Ом・см)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%),4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
СИ
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
никто
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Другие характеристики доступны по запросу.

A.13 Среднее количество баллов

1. Плотность ямок травления дислокаций измеряется в 13 точках.

2. Рассчитывается средневзвешенное значение плотности дислокаций по площади.

Измерение площади B.DF (в случае гарантии площади)

1. Подсчитываются плотности ямок травления дислокаций в 69 точках, показанных справа.

2. DF определяется как EPD менее 500 см.–2
3. Максимальная площадь пеленгации, измеренная этим методом, составляет 17,25 см.2
Подложка InP и CdTe (2)
Подложка InP и CdTe (1)
Подложка InP и CdTe (3)

Общие характеристики монокристаллических подложек InP

1. Ориентация
Ориентация поверхности (100)±0,2° или (100)±0,05°
Ориентация вне поверхности доступна по запросу.
Ориентация плоскости OF: (011)±1° или (011)±0,1° ЕСЛИ: (011)±2°
Cleved OF доступен по запросу.
2. Доступна лазерная маркировка по стандарту SEMI.
3. Доступна индивидуальная упаковка, а также упаковка с газом N2.
4. Доступно травление и упаковка в газе N2.
5. Доступны прямоугольные пластины.
Вышеуказанная спецификация соответствует стандарту JX.
Если требуются другие характеристики, пожалуйста, свяжитесь с нами.

Ориентация

 

Подложка InP и CdTe (4)(1)
Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Склад Семицера
Наш сервис

  • Предыдущий:
  • Следующий: