Полупроводникпластины карбида кремния (SiC)Этот новый материал, постепенно появившийся в последние годы, с его уникальными физическими и химическими свойствами, придал новую жизнь полупроводниковой промышленности.SiC пластины, использующие в качестве сырья монокристаллы, тщательно выращиваются методом химического осаждения из паровой фазы (CVD), и их внешний вид открывает возможности для производства высокотемпературных, высокочастотных и мощных электронных устройств.
В области силовой электроникиSiC пластиныиспользуются при производстве высокоэффективных преобразователей мощности, зарядных устройств, блоков питания и другой продукции. В области связи он используется для производства высокочастотных и высокоскоростных радиочастотных устройств и оптоэлектронных устройств, закладывая прочный краеугольный камень дороги информационной эпохи. В области автомобильной электроникиSiC пластинысоздать высоковольтные высоконадежные автомобильные электронные устройства, обеспечивающие безопасность вождения водителя.
Благодаря постоянному развитию технологий технология производстваSiC пластиныстановится все более зрелым, и цена постепенно снижается. Этот новый материал демонстрирует большой потенциал в улучшении производительности устройств, снижении энергопотребления и повышении конкурентоспособности продукции. Заглядывая вперед,SiC пластиныбудет играть более важную роль в полупроводниковой промышленности, принося больше удобства и безопасности в нашу жизнь.
Давайте с нетерпением ждем этой яркой полупроводниковой звезды – пластины SiC, чтобы будущее научно-технического прогресса описывало еще более блестящую главу.
Время публикации: 27 ноября 2023 г.