English

Носитель пластин GAN Epi с карбидом кремния

Носитель пластин GAN Epi с SiC Caoted Рекомендуемое изображение
  • Носитель пластин GAN Epi с карбидом кремния

Краткое описание:

Носитель GaN Epi-подложки Semicera Semiconductor с SiC-покрытием обеспечивает исключительную долговечность и термическую стабильность для процессов эпитаксии GaN. Доверьте Semicera высокопроизводительные носители с передовой технологией покрытия SiC, разработанной для оптимизации работы с пластинами и повышения эффективности.


Детали продукта

Теги продукта

Описание

Носитель для эпитаксии Semicera GaN тщательно разработан с учетом строгих требований современного производства полупроводников. Благодаря использованию высококачественных материалов и точной инженерии этот перевозчик выделяется своей исключительной производительностью и надежностью. Интеграция покрытия из карбида кремния (SiC) методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) обеспечивает превосходную долговечность, термическую эффективность и защиту, что делает его предпочтительным выбором для профессионалов отрасли.

Ключевые особенности

1. Исключительная долговечностьПокрытие CVD SiC на эпитаксическом носителе GaN повышает его устойчивость к износу, значительно продлевая срок его службы. Такая надежность обеспечивает стабильную работу даже в сложных производственных условиях, уменьшая необходимость в частой замене и обслуживании.

2. Превосходная тепловая эффективностьУправление температурным режимом имеет решающее значение в производстве полупроводников. Улучшенные тепловые свойства носителя для эпитаксии GaN способствуют эффективному рассеиванию тепла, поддерживая оптимальные температурные условия во время процесса эпитаксиального роста. Эта эффективность не только улучшает качество полупроводниковых пластин, но и повышает общую эффективность производства.

3. Защитные возможностиПокрытие SiC обеспечивает надежную защиту от химической коррозии и термических ударов. Это гарантирует сохранение целостности носителя на протяжении всего производственного процесса, защиту деликатных полупроводниковых материалов и повышение общей производительности и надежности производственного процесса.

Технические характеристики:

微信截图_20240wert729144258

Приложения:

Носитель для эпитаксии Semicorex GaN идеально подходит для различных процессов производства полупроводников, в том числе:

• Эпитаксиальный рост GaN

• Высокотемпературные полупроводниковые процессы

• Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)

• Другие передовые области применения в производстве полупроводников.

Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Склад Семицера
Наш сервис
  • Предыдущий:
  • Следующий:

    • СОПУТСТВУЮЩИЕ ПРОДУКТЫ