Описание
Носитель для эпитаксии Semicera GaN тщательно разработан с учетом строгих требований современного производства полупроводников. Благодаря использованию высококачественных материалов и точной инженерии этот перевозчик выделяется своей исключительной производительностью и надежностью. Интеграция покрытия из карбида кремния (SiC) методом химического осаждения из паровой фазы (CVD) обеспечивает превосходную долговечность, термическую эффективность и защиту, что делает его предпочтительным выбором для профессионалов отрасли.
Ключевые особенности
1. Исключительная долговечностьПокрытие CVD SiC на эпитаксиальном носителе GaN повышает его устойчивость к износу, значительно продлевая срок его службы. Такая надежность обеспечивает стабильную работу даже в сложных производственных условиях, уменьшая необходимость в частой замене и обслуживании.
2. Превосходная тепловая эффективностьУправление температурным режимом имеет решающее значение в производстве полупроводников. Улучшенные тепловые свойства носителя для эпитаксии GaN способствуют эффективному рассеиванию тепла, поддерживая оптимальные температурные условия во время процесса эпитаксиального роста. Эта эффективность не только улучшает качество полупроводниковых пластин, но и повышает общую эффективность производства.
3. Защитные возможностиПокрытие SiC обеспечивает надежную защиту от химической коррозии и термических ударов. Это гарантирует сохранение целостности носителя на протяжении всего производственного процесса, сохранность деликатных полупроводниковых материалов и повышение общей производительности и надежности производственного процесса.
Технические характеристики:
Приложения:
Носитель для эпитаксии Semicorex GaN идеально подходит для различных процессов производства полупроводников, в том числе:
• Эпитаксиальный рост GaN
• Высокотемпературные полупроводниковые процессы
• Химическое осаждение из паровой фазы (CVD)
• Другие передовые области применения в производстве полупроводников.
