Графитовый токоприемник с покрытием SiC

Краткое описание:

Графитовый токоприемник с SiC-покрытием компании Semicera Semiconductor обеспечивает превосходные тепловые характеристики и долговечность при обработке пластин. Доверьтесь компании Semicera в производстве современных токоприемников с карбид-кремниевым покрытием, предназначенных для повышения эффективности и надежности в полупроводниковых приложениях.


Детали продукта

Теги продукта

Описание

SiC-вафельные токоприемники компании Semicorex для MOCVD (химического осаждения металлов и органических соединений) разработаны с учетом строгих требований процессов эпитаксиального осаждения. Используя высококачественный карбид кремния (SiC), эти токоприемники обеспечивают непревзойденную долговечность и производительность в высокотемпературных и агрессивных средах, обеспечивая точный и эффективный рост полупроводниковых материалов.

Ключевые особенности:

1. Превосходные свойства материалаИзготовленные из высококачественного SiC, наши пластинчатые токоприемники обладают исключительной теплопроводностью и химической стойкостью. Эти свойства позволяют им выдерживать экстремальные условия процессов MOCVD, включая высокие температуры и агрессивные газы, обеспечивая долговечность и надежную работу.

2. Точность эпитаксиального осажденияТочная разработка наших SiC-ваферных токоприемников обеспечивает равномерное распределение температуры по поверхности пластины, способствуя последовательному и высококачественному росту эпитаксиального слоя. Эта точность имеет решающее значение для производства полупроводников с оптимальными электрическими свойствами.

3. Повышенная долговечностьПрочный материал SiC обеспечивает превосходную устойчивость к износу и деградации даже при постоянном воздействии суровых технологических сред. Такая долговечность снижает частоту замены токоприемников, сводя к минимуму время простоя и эксплуатационные расходы.

Приложения:

SiC-вафельные токоприемники Semicorex для MOCVD идеально подходят для:

• Эпитаксиальный рост полупроводниковых материалов.

• Высокотемпературные процессы MOCVD

• Производство GaN, AlN и других сложных полупроводников.

• Передовые приложения для производства полупроводников.

Основные характеристики покрытий CVD-SIC:

微信截图_20240wert729144258

Преимущества:

Высокая точность: Обеспечивает равномерный и качественный эпитаксиальный рост.

Долговечная производительность: Исключительная долговечность снижает частоту замены.

• Экономическая эффективность: Минимизирует эксплуатационные расходы за счет сокращения времени простоя и технического обслуживания.

Универсальность: Настраивается в соответствии с различными требованиями процесса MOCVD.

Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Склад Семицера
Наш сервис

  • Предыдущий:
  • Следующий: