Описание
SiC-вафельные токоприемники компании Semicorex для MOCVD (химического осаждения металлов и органических соединений) разработаны с учетом строгих требований процессов эпитаксиального осаждения. Используя высококачественный карбид кремния (SiC), эти токоприемники обеспечивают непревзойденную долговечность и производительность в высокотемпературных и агрессивных средах, обеспечивая точный и эффективный рост полупроводниковых материалов.
Ключевые особенности:
1. Превосходные свойства материалаИзготовленные из высококачественного SiC, наши пластинчатые токоприемники обладают исключительной теплопроводностью и химической стойкостью. Эти свойства позволяют им выдерживать экстремальные условия процессов MOCVD, включая высокие температуры и агрессивные газы, обеспечивая долговечность и надежную работу.
2. Точность эпитаксиального осажденияТочная разработка наших SiC-ваферных токоприемников обеспечивает равномерное распределение температуры по поверхности пластины, способствуя последовательному и высококачественному росту эпитаксиального слоя. Эта точность имеет решающее значение для производства полупроводников с оптимальными электрическими свойствами.
3. Повышенная долговечностьПрочный материал SiC обеспечивает превосходную устойчивость к износу и деградации даже при постоянном воздействии суровых технологических сред. Такая долговечность снижает частоту замены токоприемников, сводя к минимуму время простоя и эксплуатационные расходы.
Приложения:
SiC-вафельные токоприемники Semicorex для MOCVD идеально подходят для:
• Эпитаксиальный рост полупроводниковых материалов.
• Высокотемпературные процессы MOCVD
• Производство GaN, AlN и других сложных полупроводников.
• Передовые приложения для производства полупроводников.
Основные характеристики покрытий CVD-SIC:
Преимущества:
•Высокая точность: Обеспечивает равномерный и качественный эпитаксиальный рост.
•Долговечная производительность: Исключительная долговечность снижает частоту замены.
• Экономическая эффективность: Минимизирует эксплуатационные расходы за счет сокращения времени простоя и технического обслуживания.
•Универсальность: Настраивается в соответствии с различными требованиями процесса MOCVD.