СемицераНоситель пластин из карбида кремния (SiC)спроектирован с использованием усовершенствованного LSI+CVD-технология для удовлетворения строгих требований современного производства полупроводников. Наши подложки из карбида кремния известны своей высокой чистотой, исключительной долговечностью и возможностью многократного использования без точечных отверстий. Эти носители обеспечивают оптимальную производительность в различных полупроводниковых процессах.
Ключевые особенности
- -Высокая чистота: Изготовлен из карбида кремния высокой чистоты, что обеспечивает минимальное загрязнение и превосходную производительность.
- -Долговечность: Прочная конструкция позволяет многократное использование без ухудшения качества.
- -Настраиваемый: Может быть адаптирован к конкретным требованиям заказчика, оптимизируя производительность в зависимости от индивидуальных условий эксплуатации.
- -Передовые технологии: Использует технологию LSI+CVD для обеспечения стабильного качества и надежности.
- -Нет отверстий: Разработан для устранения пористости, обеспечивая плавный и эффективный процесс при длительном использовании.
Приложения
Идеально подходит для использования в процессах производства полупроводников, особенно в средах, требующих высокой термической стабильности и устойчивости к износу и коррозии. Карбидные держатели пластин Semicera подходят для различных применений, в том числе:
- -Производство полупроводников: Повышает эффективность и надежность обработки пластин.
- -Производство светодиодов: Обеспечивает равномерный нагрев и покрытие во время изготовления светодиодных чипов.
- -Силовая электроника: Поддерживает высокопроизводительные и долговечные электронные устройства.
Почему стоит выбрать Semicera?
Компания Semicera стремится предоставлять высококачественные решения из карбида кремния для полупроводниковой промышленности. Наши держатели пластин SiC разработаны с учетом самых высоких стандартов производительности и надежности. Доверьте Semicera все ваши потребности в полупроводниках и ощутите разницу в качестве и обслуживании.