Силиконовая пленка Semicera — это высококачественный, прецизионный материал, разработанный с учетом строгих требований полупроводниковой промышленности. Изготовленное из чистого кремния, это тонкопленочное решение обеспечивает превосходную однородность, высокую чистоту и исключительные электрические и термические свойства. Он идеально подходит для использования в различных полупроводниковых приложениях, включая производство Si-подложек, SiC-подложек, SOI-подложек, SiN-подложек и Epi-подложек. Силиконовая пленка Semicera обеспечивает надежную и стабильную работу, что делает ее важным материалом для современной микроэлектроники.
Превосходное качество и производительность для производства полупроводников
Кремниевая пленка Semicera известна своей выдающейся механической прочностью, высокой термической стабильностью и низким уровнем дефектов, которые имеют решающее значение в производстве высокопроизводительных полупроводников. Независимо от того, используется ли пленка в производстве устройств на основе оксида галлия (Ga2O3), пластин AlN или эпитаксиальных пластин, она обеспечивает прочную основу для осаждения тонких пленок и эпитаксиального роста. Его совместимость с другими полупроводниковыми подложками, такими как SiC Substrate и SOI Wafers, обеспечивает плавную интеграцию в существующие производственные процессы, помогая поддерживать высокую производительность и стабильное качество продукции.
Приложения в полупроводниковой промышленности
В полупроводниковой промышленности кремниевая пленка Semicera используется в широком спектре применений: от производства кремниевых пластин и пластин SOI до более специализированных применений, таких как SiN-подложка и создание эпи-вафель. Высокая чистота и точность этой пленки делают ее незаменимой при производстве современных компонентов, используемых во всем: от микропроцессоров и интегральных схем до оптоэлектронных устройств.
Кремниевая пленка играет решающую роль в полупроводниковых процессах, таких как эпитаксиальный рост, соединение пластин и осаждение тонких пленок. Его надежные свойства особенно ценны для отраслей, где требуется строго контролируемая среда, например, в чистых помещениях на заводах по производству полупроводников. Кроме того, силиконовую пленку можно интегрировать в кассетные системы для эффективной обработки и транспортировки пластин во время производства.
Долгосрочная надежность и постоянство
Одним из ключевых преимуществ использования силиконовой пленки Semicera является ее долгосрочная надежность. Благодаря своей превосходной долговечности и стабильному качеству эта пленка представляет собой надежное решение для крупносерийного производства. Независимо от того, используется ли кремниевая пленка Semicera в высокоточных полупроводниковых устройствах или передовых электронных приложениях, производители могут достичь высокой производительности и надежности в широком спектре продуктов.
Почему стоит выбрать силиконовую пленку Semicera?
Силиконовая пленка от Semicera является важным материалом для передовых применений в полупроводниковой промышленности. Его высокие эксплуатационные свойства, в том числе превосходная термическая стабильность, высокая чистота и механическая прочность, делают его идеальным выбором для производителей, стремящихся достичь самых высоких стандартов в производстве полупроводников. От кремниевой пластины и SiC-подложки до производства устройств на основе оксида галлия Ga2O3 — эта пленка обеспечивает непревзойденное качество и производительность.
Силиконовая пленка Semicera позволяет вам доверять продукту, который отвечает потребностям современного производства полупроводников и обеспечивает надежную основу для следующего поколения электроники.
Предметы | Производство | Исследовать | Дурачок |
Параметры кристалла | |||
Политип | 4H | ||
Ошибка ориентации поверхности | <11-20 >4±0,15° | ||
Электрические параметры | |||
легирующая примочка | Азот n-типа | ||
Удельное сопротивление | 0,015-0,025 Ом·см | ||
Механические параметры | |||
Диаметр | 150,0±0,2 мм | ||
Толщина | 350±25 мкм | ||
Первичная плоская ориентация | [1-100]±5° | ||
Первичная плоская длина | 47,5±1,5 мм | ||
Вторичная квартира | Никто | ||
ТТВ | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
Общая ценность | ≤3 мкм (5 мм*5 мм) | ≤5 мкм (5 мм*5 мм) | ≤10 мкм (5 мм*5 мм) |
Поклон | -15 мкм ~ 15 мкм | -35 мкм ~ 35 мкм | -45 мкм ~ 45 мкм |
Деформация | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Структура | |||
Плотность микротрубок | <1 шт./см2 | <10 шт/см2 | <15 шт/см2 |
Металлические примеси | ≤5E10атомов/см2 | NA | |
БЛД | ≤1500 шт/см2 | ≤3000 шт/см2 | NA |
ТСД | ≤500 шт/см2 | ≤1000 шт/см2 | NA |
Переднее качество | |||
Передний | Si | ||
Чистота поверхности | Si-лицо CMP | ||
Частицы | ≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм) | NA | |
Царапины | ≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр | Совокупная длина≤2*диаметр | NA |
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения | Никто | NA | |
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины | Никто | ||
Политипные области | Никто | Совокупная площадь≤20% | Совокупная площадь≤30% |
Передняя лазерная маркировка | Никто | ||
Назад Качество | |||
Задняя отделка | C-образная грань CMP | ||
Царапины | ≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр | NA | |
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) | Никто | ||
Задняя шероховатость | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Задняя лазерная маркировка | 1 мм (от верхнего края) | ||
Край | |||
Край | Фаска | ||
Упаковка | |||
Упаковка | Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка | ||
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD. |