Силиконовая пленка

Краткое описание:

Силиконовая пленка Semicera — это высокоэффективный материал, разработанный для различных передовых применений в полупроводниковой и электронной промышленности. Эта пленка, изготовленная из высококачественного кремния, обеспечивает исключительную однородность, термическую стабильность и электрические свойства, что делает ее идеальным решением для осаждения тонких пленок, MEMS (микроэлектромеханических систем) и производства полупроводниковых приборов.


Детали продукта

Теги продукта

Силиконовая пленка Semicera — это высококачественный, прецизионный материал, разработанный с учетом строгих требований полупроводниковой промышленности. Изготовленное из чистого кремния, это тонкопленочное решение обеспечивает превосходную однородность, высокую чистоту и исключительные электрические и термические свойства. Он идеально подходит для использования в различных полупроводниковых приложениях, включая производство Si-подложек, SiC-подложек, SOI-подложек, SiN-подложек и Epi-подложек. Силиконовая пленка Semicera обеспечивает надежную и стабильную работу, что делает ее важным материалом для современной микроэлектроники.

Превосходное качество и производительность для производства полупроводников

Кремниевая пленка Semicera известна своей выдающейся механической прочностью, высокой термической стабильностью и низким уровнем дефектов, которые имеют решающее значение в производстве высокопроизводительных полупроводников. Независимо от того, используется ли пленка в производстве устройств на основе оксида галлия (Ga2O3), пластин AlN или эпитаксиальных пластин, она обеспечивает прочную основу для осаждения тонких пленок и эпитаксиального роста. Его совместимость с другими полупроводниковыми подложками, такими как SiC Substrate и SOI Wafers, обеспечивает плавную интеграцию в существующие производственные процессы, помогая поддерживать высокую производительность и стабильное качество продукции.

Приложения в полупроводниковой промышленности

В полупроводниковой промышленности кремниевая пленка Semicera используется в широком спектре применений: от производства кремниевых пластин и пластин SOI до более специализированных применений, таких как SiN-подложка и создание эпи-вафель. Высокая чистота и точность этой пленки делают ее незаменимой при производстве современных компонентов, используемых во всем: от микропроцессоров и интегральных схем до оптоэлектронных устройств.

Кремниевая пленка играет решающую роль в полупроводниковых процессах, таких как эпитаксиальный рост, соединение пластин и осаждение тонких пленок. Его надежные свойства особенно ценны для отраслей, где требуется строго контролируемая среда, например, в чистых помещениях на заводах по производству полупроводников. Кроме того, силиконовую пленку можно интегрировать в кассетные системы для эффективной обработки и транспортировки пластин во время производства.

Долгосрочная надежность и постоянство

Одним из ключевых преимуществ использования силиконовой пленки Semicera является ее долгосрочная надежность. Благодаря своей превосходной долговечности и стабильному качеству эта пленка представляет собой надежное решение для крупносерийного производства. Независимо от того, используется ли кремниевая пленка Semicera в высокоточных полупроводниковых устройствах или передовых электронных приложениях, производители могут достичь высокой производительности и надежности в широком спектре продуктов.

Почему стоит выбрать силиконовую пленку Semicera?

Силиконовая пленка от Semicera является важным материалом для передовых применений в полупроводниковой промышленности. Его высокие эксплуатационные свойства, в том числе превосходная термическая стабильность, высокая чистота и механическая прочность, делают его идеальным выбором для производителей, стремящихся достичь самых высоких стандартов в производстве полупроводников. От кремниевой пластины и SiC-подложки до производства устройств на основе оксида галлия Ga2O3 — эта пленка обеспечивает непревзойденное качество и производительность.

Силиконовая пленка Semicera позволяет вам доверять продукту, который отвечает потребностям современного производства полупроводников и обеспечивает надежную основу для следующего поколения электроники.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: