Обзор продукта
Лопасть и держатель пластины из карбида кремния (SiC), пропитанные кремниемразработан для удовлетворения строгих требований термической обработки полупроводников. Изготовленный из карбида кремния высокой чистоты и усиленный пропиткой кремнием, этот продукт предлагает уникальное сочетание высокотемпературных характеристик, превосходной теплопроводности, коррозионной стойкости и выдающейся механической прочности.
Благодаря интеграции передовых материаловедческих технологий с прецизионным производством это решение обеспечивает превосходную производительность, надежность и долговечность для производителей полупроводников.
Ключевые особенности
1.Исключительная устойчивость к высоким температурам
Благодаря температуре плавления, превышающей 2700°C, материалы SiC по своей природе стабильны при экстремальных температурах. Кремниевая пропитка еще больше повышает их термическую стабильность, позволяя им выдерживать длительное воздействие высоких температур без структурного ослабления или ухудшения характеристик.
2.Превосходная теплопроводность
Исключительная теплопроводность SiC, пропитанного кремнием, обеспечивает равномерное распределение тепла, снижая термическое напряжение на критических этапах обработки. Это свойство продлевает срок службы оборудования и сводит к минимуму время простоя производства, что делает его идеальным для высокотемпературной термической обработки.
3.Устойчивость к окислению и коррозии
На поверхности естественным образом образуется прочный слой оксида кремния, обеспечивающий исключительную стойкость к окислению и коррозии. Это обеспечивает долговременную надежность в суровых условиях эксплуатации, защищая как материал, так и окружающие компоненты.
4.Высокая механическая прочность и износостойкость
Карбид кремния, пропитанный кремнием, обладает превосходной прочностью на сжатие и износостойкостью, сохраняя структурную целостность в условиях высоких нагрузок и высоких температур. Это снижает риск повреждений, связанных с износом, обеспечивая стабильную производительность в течение длительных циклов использования.
Технические характеристики
| Название продукта | SC-RSiC-Si |
| Материал | Кремниевая пропитка Компактный карбид кремния (высокой чистоты) |
| Приложения | Детали термообработки полупроводников, Детали оборудования для производства полупроводников |
| Форма доставки | Литой корпус (Спеченный корпус) |
| Состав | Механическое свойство | Модуль Юнга (ГПа) | прочность на изгиб (МПа) | ||
| Состав (об.%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°С | 360 | 220 | |
| Объемная плотность (кг/м³) | 3,02 х 103 | 1200°С | 340 | 220 | |
| Жаропрочная температура°C | 1350 | Коэффициент Пуассона | 0,18(RT) | ||
| Тепловая недвижимость | Теплопроводность (Вт/(м · К)) | Удельная теплоемкость (кДж/(кг·К)) | Коэффициент теплового расширения (1/К) | ||
| RT | 220 | 0,7 | КТ~700°С | 3,4 х 10-6 | |
| 700°С | 60 | 1.23 | 700~1200°К | 4,3х10-6 | |
| Содержание примесей ((ppm) | |||||||||||||
| Элемент | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Скорость контента | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Приложения
▪Термическая обработка полупроводников:Идеально подходит для таких процессов, как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), эпитаксиальное выращивание и отжиг, где критически важны точный контроль температуры и долговечность материала.
▪Вафельные держатели и лопатки:Предназначен для надежного удержания и транспортировки пластин во время высокотемпературной термической обработки.
▪Экстремальные условия эксплуатации: Подходит для условий, требующих устойчивости к теплу, химическому воздействию и механическим нагрузкам.
Преимущества SiC, пропитанного кремнием
Сочетание карбида кремния высокой чистоты и передовой технологии пропитки кремнием обеспечивает непревзойденные преимущества в производительности:
▪Точность:Повышает точность и контроль обработки полупроводников.
▪Стабильность:Выдерживает суровые условия без ущерба для функциональности.
▪Долговечность:Продлевает срок службы оборудования для производства полупроводников.
▪Эффективность:Повышает производительность за счет обеспечения надежных и стабильных результатов.
Почему стоит выбрать наши решения SiC с пропиткой кремнием?
At Семицера, мы специализируемся на предоставлении высокопроизводительных решений, адаптированных к потребностям производителей полупроводников. Наши лопатки и держатели пластин из карбида кремния, пропитанные кремнием, проходят строгие испытания и проверку качества на соответствие отраслевым стандартам. Выбирая Semicera, вы получаете доступ к передовым материалам, предназначенным для оптимизации ваших производственных процессов и расширения ваших производственных возможностей.
Технические характеристики
▪Состав материала:Карбид кремния высокой чистоты с кремниевой пропиткой.
▪Диапазон рабочих температур:До 2700°С.
▪ Теплопроводность:Исключительно высокая температура для равномерного распределения тепла.
▪Свойства сопротивления:Устойчив к окислению, коррозии и износу.
▪Приложения:Совместим с различными системами термической обработки полупроводников.
Связаться с нами
Готовы улучшить свой процесс производства полупроводников? КонтактСемицерасегодня, чтобы узнать больше о наших лопатках из карбида кремния с пропиткой кремнием и держателе пластин.
▪Электронная почта: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪Телефон: +86-0574-8650 3783
▪Расположение:No.1958 Jiangnan Road, Нинбо Хай-тек, Зона, провинция Чжэцзян, 315201, Китай
