Кремниевая пластина

Краткое описание:

Кремниевые пластины Semicera являются краеугольным камнем современных полупроводниковых приборов, обеспечивая непревзойденную чистоту и точность. Эти пластины, разработанные с учетом строгих требований высокотехнологичных отраслей, обеспечивают надежную работу и стабильное качество. Доверьте Semicera свои передовые электронные приложения и инновационные технологические решения.


Детали продукта

Теги продукта

Кремниевые пластины Semicera тщательно разработаны и служат основой для широкого спектра полупроводниковых устройств: от микропроцессоров до фотоэлектрических элементов. Эти пластины разработаны с высокой точностью и чистотой, что обеспечивает оптимальную производительность в различных электронных приложениях.

Изготовленные с использованием передовых технологий кремниевые пластины Semicera обладают исключительной плоскостностью и однородностью, которые имеют решающее значение для достижения высоких выходов при производстве полупроводников. Такой уровень точности помогает минимизировать дефекты и повысить общую эффективность электронных компонентов.

Превосходное качество кремниевых пластин Semicera проявляется в их электрических характеристиках, которые способствуют повышению производительности полупроводниковых устройств. Благодаря низкому уровню примесей и высокому качеству кристаллов эти пластины представляют собой идеальную платформу для разработки высокопроизводительной электроники.

Кремниевые пластины Semicera, доступные в различных размерах и спецификациях, могут быть адаптированы к конкретным потребностям различных отраслей, включая вычислительную технику, телекоммуникации и возобновляемые источники энергии. Будь то крупномасштабное производство или специализированные исследования, эти пластины обеспечивают надежные результаты.

Semicera стремится поддерживать рост и инновации полупроводниковой промышленности, предоставляя высококачественные кремниевые пластины, соответствующие самым высоким отраслевым стандартам. Делая упор на точность и надежность, Semicera позволяет производителям расширять границы технологий, гарантируя, что их продукция останется на переднем крае рынка.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: