Простые подложки для керамики SiN

Краткое описание:

Плоские подложки SiN Ceramics компании Semicera обеспечивают исключительные термические и механические характеристики для применений с высокими требованиями. Эти подложки, разработанные для обеспечения превосходной долговечности и надежности, идеально подходят для современных электронных устройств. Выбирайте Semicera, чтобы получить высококачественные решения из керамики SiN, адаптированные к вашим потребностям.


Детали продукта

Теги продукта

Простые подложки SiN Ceramics компании Semicera представляют собой высокопроизводительное решение для различных электронных и промышленных применений. Эти подложки, известные своей превосходной теплопроводностью и механической прочностью, обеспечивают надежную работу в сложных условиях.

Наша керамика SiN (нитрид кремния) предназначена для работы в условиях экстремальных температур и высоких напряжений, что делает ее подходящей для мощной электроники и современных полупроводниковых устройств. Их долговечность и устойчивость к тепловому удару делают их идеальными для использования в приложениях, где надежность и производительность имеют решающее значение.

Прецизионные производственные процессы Semicera гарантируют, что каждая простая подложка соответствует строгим стандартам качества. В результате получаются подложки с одинаковой толщиной и качеством поверхности, которые необходимы для достижения оптимальных характеристик электронных сборок и систем.

В дополнение к своим термическим и механическим преимуществам гладкие подложки из SiN Ceramics обладают отличными электроизоляционными свойствами. Это обеспечивает минимальные электрические помехи и способствует общей стабильности и эффективности электронных компонентов, увеличивая срок их службы.

Выбирая простые подложки SiN Ceramics компании Semicera, вы выбираете продукт, который сочетает в себе передовые технологии материаловедения и первоклассное производство. Наша приверженность качеству и инновациям гарантирует, что вы получите субстраты, соответствующие самым высоким отраслевым стандартам и способствующие успеху ваших передовых технологических проектов.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: