SOI Wafer (кремний на изоляторе) компании Semicera разработан для обеспечения превосходной электрической изоляции и тепловых характеристик. Эта инновационная структура пластины, состоящая из кремниевого слоя на изолирующем слое, обеспечивает повышенную производительность устройства и снижение энергопотребления, что делает ее идеальной для различных высокотехнологичных приложений.
Наши пластины SOI предлагают исключительные преимущества для интегральных схем за счет минимизации паразитной емкости и повышения скорости и эффективности устройств. Это имеет решающее значение для современной электроники, где высокая производительность и энергоэффективность необходимы как для бытовых, так и для промышленных приложений.
Semicera использует передовые технологии производства для производства пластин SOI с неизменным качеством и надежностью. Эти пластины обеспечивают превосходную теплоизоляцию, что делает их пригодными для использования в средах, где рассеивание тепла является проблемой, например, в электронных устройствах высокой плотности и системах управления питанием.
Использование пластин КНИ в производстве полупроводников позволяет разрабатывать более мелкие, быстрые и надежные чипы. Приверженность Semicera точному машиностроению гарантирует, что наши пластины SOI соответствуют высоким стандартам, необходимым для передовых технологий в таких областях, как телекоммуникации, автомобилестроение и бытовая электроника.
Выбор SOI Wafer от Semicera означает инвестирование в продукт, который поддерживает развитие электронных и микроэлектронных технологий. Наши пластины разработаны для обеспечения повышенной производительности и долговечности, что способствует успеху ваших высокотехнологичных проектов и гарантирует, что вы остаетесь в авангарде инноваций.
Предметы | Производство | Исследовать | Дурачок |
Параметры кристалла | |||
Политип | 4H | ||
Ошибка ориентации поверхности | <11-20 >4±0,15° | ||
Электрические параметры | |||
легирующая примочка | Азот n-типа | ||
Удельное сопротивление | 0,015-0,025 Ом·см | ||
Механические параметры | |||
Диаметр | 150,0±0,2 мм | ||
Толщина | 350±25 мкм | ||
Первичная плоская ориентация | [1-100]±5° | ||
Первичная плоская длина | 47,5±1,5 мм | ||
Вторичная квартира | Никто | ||
ТТВ | ≤5 мкм | ≤10 мкм | ≤15 мкм |
Общая ценность | ≤3 мкм (5 мм*5 мм) | ≤5 мкм (5 мм*5 мм) | ≤10 мкм (5 мм*5 мм) |
Поклон | -15 мкм ~ 15 мкм | -35 мкм ~ 35 мкм | -45 мкм ~ 45 мкм |
Деформация | ≤35 мкм | ≤45 мкм | ≤55 мкм |
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM) | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Структура | |||
Плотность микротрубок | <1 шт./см2 | <10 шт/см2 | <15 шт/см2 |
Металлические примеси | ≤5E10атомов/см2 | NA | |
БЛД | ≤1500 шт/см2 | ≤3000 шт/см2 | NA |
ТСД | ≤500 шт/см2 | ≤1000 шт/см2 | NA |
Переднее качество | |||
Передний | Si | ||
Чистота поверхности | Si-лицо CMP | ||
Частицы | ≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм) | NA | |
Царапины | ≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр | Совокупная длина≤2*диаметр | NA |
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения | Никто | NA | |
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины | Никто | ||
Политипные области | Никто | Совокупная площадь≤20% | Совокупная площадь≤30% |
Передняя лазерная маркировка | Никто | ||
Назад Качество | |||
Задняя отделка | C-образная грань CMP | ||
Царапины | ≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр | NA | |
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям) | Никто | ||
Задняя шероховатость | Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм) | ||
Задняя лазерная маркировка | 1 мм (от верхнего края) | ||
Край | |||
Край | Фаска | ||
Упаковка | |||
Упаковка | Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка | ||
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD. |