SOI вафельный кремний на изоляторе

Краткое описание:

SOI Wafer (кремний на изоляторе) от Semicera обеспечивает исключительную электрическую изоляцию и производительность для передовых полупроводниковых приложений. Эти пластины, разработанные для обеспечения превосходной тепловой и электрической эффективности, идеально подходят для высокопроизводительных интегральных схем. Выбирайте Semicera из-за качества и надежности технологии пластин SOI.


Детали продукта

Теги продукта

SOI Wafer (кремний на изоляторе) компании Semicera разработан для обеспечения превосходной электрической изоляции и тепловых характеристик. Эта инновационная структура пластины, состоящая из кремниевого слоя на изолирующем слое, обеспечивает повышенную производительность устройства и снижение энергопотребления, что делает ее идеальной для различных высокотехнологичных приложений.

Наши пластины SOI предлагают исключительные преимущества для интегральных схем за счет минимизации паразитной емкости и повышения скорости и эффективности устройств. Это имеет решающее значение для современной электроники, где высокая производительность и энергоэффективность необходимы как для бытовых, так и для промышленных приложений.

Semicera использует передовые технологии производства для производства пластин SOI с неизменным качеством и надежностью. Эти пластины обеспечивают превосходную теплоизоляцию, что делает их пригодными для использования в средах, где рассеивание тепла является проблемой, например, в электронных устройствах высокой плотности и системах управления питанием.

Использование пластин КНИ в производстве полупроводников позволяет разрабатывать более мелкие, быстрые и надежные чипы. Приверженность Semicera точному машиностроению гарантирует, что наши пластины SOI соответствуют высоким стандартам, необходимым для передовых технологий в таких областях, как телекоммуникации, автомобилестроение и бытовая электроника.

Выбор SOI Wafer от Semicera означает инвестирование в продукт, который поддерживает развитие электронных и микроэлектронных технологий. Наши пластины разработаны для обеспечения повышенной производительности и долговечности, что способствует успеху ваших высокотехнологичных проектов и гарантирует, что вы остаетесь в авангарде инноваций.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: