Покрытия из карбида тантала (TaC) высокой чистоты, высокой температурной стабильности и высокой химической стойкости.

Краткое описание:

Покрытие TaC представляет собой новое поколение высокотемпературного материала с лучшей стабильностью при высоких температурах, чем SiC, поскольку коррозионно-стойкое покрытие, устойчивое к окислению покрытие, износостойкое покрытие может использоваться в среде выше 2000 ℃, широко используется в аэрокосмической ультра- высокотемпературные детали с горячим концом, третье поколение выращивания монокристаллов полупроводников и другие области.


Информация о продукте

Теги продукта

Semicera Semicera предлагает специализированные покрытия из карбида тантала (TaC) для различных компонентов и носителей.Semicera Передовой процесс нанесения покрытий Semicera позволяет покрытиям из карбида тантала (TaC) достигать высокой чистоты, высокой температурной стабильности и высокой химической стойкости, улучшая качество продукции кристаллов SIC/GAN и слоев EPI (Токоприемник TaC с графитовым покрытием), а также продление срока службы ключевых компонентов реактора.Использование покрытия TaC из карбида тантала предназначено для решения проблемы кромок и улучшения качества роста кристаллов. Компания Semicera Semicera совершила прорыв в технологии покрытия из карбида тантала (CVD), достигнув международного передового уровня.

После многих лет развития компания Semicera овладела технологиейССЗ TaCсовместными усилиями отдела исследований и разработок.Дефекты легко возникают в процессе роста пластин SiC, но после использованияТаС, разница существенная.Ниже приведено сравнение пластин с TaC и без него, а также деталей Simicera для выращивания монокристаллов.

微信图片_20240227150045

с ТАК и без него

фото_20240227150053

После использования TaC (справа)

Кроме того, срок службы продуктов с покрытием TaC компании Semicera дольше и более устойчив к высоким температурам, чем у покрытий SiC.После длительного времени лабораторных измерений наш TaC может долго работать при температуре максимум 2300 градусов по Цельсию.Ниже приведены некоторые из наших образцов:

微信截图_20240227145010

(a) Принципиальная схема устройства для выращивания слитков монокристалла SiC методом PVT (b) Верхняя затравочная скоба с покрытием TaC (включая затравку SiC) (c) Графитовое направляющее кольцо с покрытием TAC

ЗДФВзCFV
Главная особенность
Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Наш сервис

  • Предыдущий:
  • Следующий: