Термополевой материал для выращивания кристаллов карбида кремния – пористый карбид тантала.

Краткое описание:

Пористый карбид тантала в основном используется для фильтрации компонентов газовой фазы, регулирования локального температурного градиента, направления потока материала, контроля утечек и т. д. Его можно использовать с другим твердым карбидом тантала (компактным) или покрытием из карбида тантала от Semicera Technology для формирования локальных компонентов. с различной проводимостью потока.

 

 


Детали продукта

Теги продукта

Semicera предлагает специализированные покрытия из карбида тантала (TaC) для различных компонентов и носителей.Передовой процесс нанесения покрытий Semicera позволяет покрытиям из карбида тантала (TaC) достигать высокой чистоты, высокой температурной стабильности и высокой химической стойкости, улучшая качество продукции кристаллов SIC/GAN и слоев EPI (Токоприемник TaC с графитовым покрытием), а также продление срока службы ключевых компонентов реактора. Использование покрытия TaC из карбида тантала призвано решить проблему кромок и улучшить качество роста кристаллов, а компания Semicera совершила прорыв в технологии покрытия из карбида тантала (CVD), достигнув международного передового уровня.

 

После многих лет развития компания Semicera овладела технологиейССЗ TaCсовместными усилиями отдела исследований и разработок. Дефекты легко возникают в процессе роста пластин SiC, но после использованияТаС, разница существенная. Ниже приведено сравнение пластин с TaC и без него, а также деталей Semicera для выращивания монокристаллов.

微信图片_20240227150045

с ТАК и без него

фото_20240227150053

После использования TaC (справа)

Кроме того, срок службы продуктов с покрытием TaC компании Semicera дольше и более устойчив к высоким температурам, чем у покрытий SiC. После длительного периода лабораторных измерений наш TaC может долго работать при температуре максимум 2300 градусов по Цельсию. Ниже приведены некоторые из наших образцов:

微信截图_20240227145010

(a) Принципиальная схема устройства для выращивания слитков монокристалла SiC методом PVT (b) Верхняя затравочная скоба с покрытием TaC (включая затравку SiC) (c) Графитовое направляющее кольцо с покрытием TAC

ЗДФВзCFV
Основная особенность
Семицера Рабочее место
Семицера рабочее место 2
Оборудование машины
Обработка CNN, химическая очистка, покрытие CVD
Наш сервис

  • Предыдущий:
  • Следующий: