Кольца из карбида кремния (SiC) CVD, предлагаемые Semicera, являются ключевыми компонентами травления полупроводников, жизненно важного этапа в производстве полупроводниковых приборов. Состав этих колец из карбида кремния (SiC) CVD обеспечивает прочную и долговечную конструкцию, способную выдерживать суровые условия процесса травления. Химическое осаждение из паровой фазы помогает сформировать высокочистый, однородный и плотный слой SiC, придающий кольцам превосходную механическую прочность, термическую стабильность и коррозионную стойкость.
Являясь ключевым элементом в производстве полупроводников, кольца CVD из карбида кремния (SiC) действуют как защитный барьер, защищающий целостность полупроводниковых чипов. Его точная конструкция обеспечивает равномерное и контролируемое травление, что помогает в производстве очень сложных полупроводниковых устройств, обеспечивая повышенную производительность и надежность.
Использование материала CVD SiC в конструкции колец демонстрирует приверженность качеству и производительности в производстве полупроводников. Этот материал обладает уникальными свойствами, в том числе высокой теплопроводностью, превосходной химической инертностью, а также устойчивостью к износу и коррозии, что делает кольца из карбида кремния (SiC) CVD незаменимым компонентом в стремлении к точности и эффективности процессов травления полупроводников.
Кольцо Semicera из карбида кремния (SiC) CVD представляет собой передовое решение в области производства полупроводников, использующее уникальные свойства карбида кремния, осажденного химическим методом из паровой фазы, для достижения надежных и высокопроизводительных процессов травления, что способствует постоянному совершенствованию полупроводниковых технологий. Мы стремимся предоставлять клиентам превосходную продукцию и профессиональную техническую поддержку для удовлетворения спроса полупроводниковой промышленности на высококачественные и эффективные решения для травления.
✓Высшее качество на рынке Китая
✓Хорошее обслуживание всегда для вас, 7*24 часа.
✓Короткие сроки поставки
✓Небольшой минимальный заказ приветствуется и принимается
✓Таможенные услуги
Эпитактический росторецептор
Пластины кремния/карбида кремния должны пройти множество процессов, прежде чем их можно будет использовать в электронных устройствах. Важным процессом является кремниевая/sic эпитаксия, при которой кремниевые/sic пластины наносятся на графитовую основу. К особым преимуществам графитовой основы Semicera, покрытой карбидом кремния, относятся чрезвычайно высокая чистота, равномерное покрытие и чрезвычайно длительный срок службы. Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.
Производство светодиодных чипов
Во время обширного покрытия MOCVD-реактора планетарное основание или носитель перемещает пластину-подложку. Характеристики основного материала оказывают большое влияние на качество покрытия, что, в свою очередь, влияет на процент брака стружки. Основание Semicera с покрытием из карбида кремния повышает эффективность производства высококачественных светодиодных пластин и минимизирует отклонение длины волны. Мы также поставляем дополнительные графитовые компоненты для всех используемых в настоящее время реакторов MOCVD. Мы можем покрыть практически любой компонент покрытием из карбида кремния, даже если диаметр компонента составляет до 1,5 м, мы все равно можем покрыть карбидом кремния.
Полупроводниковая область, процесс диффузии окисления, И т. д.
В полупроводниковом производстве процесс окислительного расширения требует высокой чистоты продукта, и в Semicera мы предлагаем услуги по индивидуальному заказу и нанесению CVD-покрытия для большинства деталей из карбида кремния.
На следующем рисунке показана суспензия карбида кремния грубой обработки компании Semicea и труба печи из карбида кремния, очищенная в 1000-уровеньбез пыликомната. Наши работники работают перед нанесением покрытия. Чистота нашего карбида кремния может достигать 99,99%, а чистота карбида кремния превышает 99,99995%..
Лопасть из необработанного карбида кремния и технологическая трубка из карбида кремния при очистке
Вафельная лодочка из карбида кремния с CVD-покрытием SiC
