Подложка SiC P-типа

Краткое описание:

Карбидно-кремниевая подложка P-типа компании Semicera разработана для превосходных электронных и оптоэлектронных приложений. Эти пластины обеспечивают исключительную проводимость и термическую стабильность, что делает их идеальными для высокопроизводительных устройств. Используя Semicera, ожидайте точности и надежности ваших подложек SiC P-типа.


Детали продукта

Теги продукта

Подложка SiC P-типа компании Semicera является ключевым компонентом для разработки современных электронных и оптоэлектронных устройств. Эти пластины специально разработаны для обеспечения повышенной производительности в условиях высокой мощности и высоких температур, удовлетворяя растущий спрос на эффективные и долговечные компоненты.

Легирование P-типа в наших пластинах SiC обеспечивает улучшенную электропроводность и подвижность носителей заряда. Это делает их особенно подходящими для применения в силовой электронике, светодиодах и фотоэлектрических элементах, где низкие потери мощности и высокая эффективность имеют решающее значение.

Изготовленные с соблюдением самых высоких стандартов точности и качества, пластины SiC Semicera P-типа обеспечивают превосходную однородность поверхности и минимальный процент дефектов. Эти характеристики жизненно важны для отраслей, где важна последовательность и надежность, таких как аэрокосмическая, автомобильная и возобновляемая энергетика.

Приверженность Semicera инновациям и совершенству очевидна в нашей подложке SiC P-типа. Интегрируя эти пластины в свой производственный процесс, вы гарантируете, что ваши устройства смогут воспользоваться исключительными тепловыми и электрическими свойствами SiC, что позволит им эффективно работать в сложных условиях.

Инвестировать в пластину SiC Substrate P-типа от Semicera означает выбрать продукт, который сочетает в себе передовые достижения материаловедения с тщательным проектированием. Компания Semicera стремится поддерживать новое поколение электронных и оптоэлектронных технологий, предоставляя основные компоненты, необходимые для вашего успеха в полупроводниковой промышленности.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: