Характеристики продукта SiC
Устойчивость к высоким температурам и коррозии, улучшение качества и производительности пластин.
SiC относится к карбиду кремния.Карбид кремния (SiC) изготавливается из кварцевого песка, кокса и другого сырья путем плавки в высокотемпературной печи.В настоящее время промышленное производство карбида кремния имеет два вида: черный карбид кремния и зеленый карбид кремния.Оба кристалла шестиугольной формы, удельный вес 3,21 г/см3, микротвердость 2840 ~ 3320 кг/мм2.
По крайней мере, 70 видов кристаллического карбида кремния, благодаря своей низкой плотности (3,21 г/см3) и высокотемпературной прочности, он подходит для подшипников или сырья для высокотемпературных печей.ни при каком давлении не могут быть достигнуты, и имеют весьма низкую химическую активность.
В то же время многие пытались заменить кремний карбидом кремния из-за его высокой теплопроводности, высокой напряженности электрического поля и высокой максимальной плотности тока.В последнее время в применении полупроводниковых компонентов высокой мощности.Фактически, теплопроводность подложки из карбида кремния более чем в 10 раз выше, чем у сапфировой подложки, поэтому использование светодиодных компонентов подложки из карбида кремния с хорошей проводимостью и теплопроводностью относительно способствует производству мощных светодиодов.