Графитовый токоприемник с покрытием из карбида кремния, пластина-носитель

Покрытие CVD-SiC имеет характеристики однородной структуры, компактного материала, устойчивости к высоким температурам, стойкости к окислению, высокой чистоты, устойчивости к кислотам и щелочам и органических реагентов, а также стабильных физических и химических свойств.
По сравнению с графитовыми материалами высокой чистоты, графит начинает окисляться при 400C, что приводит к потере порошка из-за окисления, что приводит к загрязнению окружающей среды периферийных устройств и вакуумных камер, а также к увеличению примесей среды высокой чистоты.
Однако покрытие SiC может сохранять физическую и химическую стабильность при температуре 1600 градусов. Оно широко используется в современной промышленности, особенно в полупроводниковой промышленности.