Корпус эпитаксиального реактора с покрытием из карбида кремния

Краткое описание:

Semicera — это высокотехнологичное предприятие, уже много лет занимающееся исследованиями материалов, с ведущей командой исследований и разработок, а также интегрированными исследованиями, разработками и производством.Предоставление индивидуального корпуса эпитаксиального реактора с покрытием из карбида кремния. чтобы обсудить с нашими техническими экспертами, как добиться максимальной производительности и рыночного преимущества для вашей продукции.

Отправьте нам электронное письмо

Информация о продукте

Теги продукта

Почему покрытие из карбида кремния?

В области полупроводников стабильность каждого компонента очень важна для всего процесса.Однако в высокотемпературной среде графит легко окисляется и теряется, а покрытие SiC может обеспечить стабильную защиту графитовых деталей.вСемицераКоманда, у нас есть собственное оборудование для очистки графита, которое может контролировать чистоту графита ниже 5 частей на миллион.Чистота покрытия из карбида кремния также ниже 5 ppm.

Наше преимущество, почему стоит выбрать Semicera?

✓Высшее качество на рынке Китая

✓Хорошее обслуживание всегда для вас, 7*24 часа.

✓Короткие сроки поставки

✓Небольшой минимальный заказ приветствуется и принимается

✓Таможенные услуги

Приложение

Эпитаксия, рецептор роста

Пластины кремния/карбида кремния должны пройти множество процессов, прежде чем их можно будет использовать в электронных устройствах.Важным процессом является кремниевая/sic эпитаксия, при которой кремниевые/sic пластины наносятся на графитовую основу.К особым преимуществам графитовой основы Semicera, покрытой карбидом кремния, относятся чрезвычайно высокая чистота, равномерное покрытие и чрезвычайно длительный срок службы.Они также обладают высокой химической стойкостью и термической стабильностью.

Si-эпитаксический цилиндрический токоприемник

Кремниевый эпитаксионный токоприемник

Эпитаксиальный токоприемник из карбида кремния

Производство светодиодных чипов

Во время обширного покрытия MOCVD-реактора планетарное основание или носитель перемещает пластину-подложку.Характеристики основного материала оказывают большое влияние на качество покрытия, что, в свою очередь, влияет на процент брака стружки.Основание Semicera с покрытием из карбида кремния повышает эффективность производства высококачественных светодиодных пластин и минимизирует отклонение длины волны.Мы также поставляем дополнительные графитовые компоненты для всех используемых в настоящее время реакторов MOCVD.Мы можем покрыть практически любой компонент покрытием из карбида кремния, даже если диаметр компонента составляет до 1,5 м, мы все равно можем покрыть карбидом кремния.

Светодиодный эпитаксический токоприемник

Светодиодный эпитаксический датчик

Полупроводниковая область, процесс диффузии окисления, И т. д.

В полупроводниковом производстве процесс окислительного расширения требует высокой чистоты продукта, и в Semicera мы предлагаем услуги по индивидуальному заказу и нанесению CVD-покрытия для большинства деталей из карбида кремния.

На следующем рисунке показана суспензия карбида кремния грубой обработки компании Semicea и труба печи из карбида кремния, очищенная в 1000-уровеньбез пыликомната.Наши работники работают перед нанесением покрытия.Чистота нашего карбида кремния может достигать 99,98%, а чистота карбида кремния превышает 99,9995%..