Графитовый токоприемник с покрытием из карбида кремния, поддон для ствола

Краткое описание:

Semicera предлагает широкий ассортимент токоприемников и графитовых компонентов, предназначенных для различных реакторов эпитаксии.

Благодаря стратегическому партнерству с ведущими OEM-производителями, обширному опыту в области материалов и передовым производственным возможностям, Semicera предлагает индивидуальные конструкции, отвечающие конкретным требованиям вашего применения.Наше стремление к совершенству гарантирует, что вы получите оптимальные решения для нужд вашего эпитаксионного реактора.

Отправьте нам электронное письмо

Информация о продукте

Теги продукта

Описание

Наша компания предоставляет услуги по нанесению покрытия SiC методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов, так что специальные газы, содержащие углерод и кремний, реагируют при высокой температуре с получением молекул SiC высокой чистоты, молекул, осаждаемых на поверхности материалов с покрытием, образуя защитный слой SIC.

около (1)

о (2)

Основные характеристики

1. Графит высокой чистоты с покрытием SiC.

2. Превосходная термостойкость и термическая однородность.

3. Мелкие кристаллы SiC с гладким покрытием.

4. Высокая стойкость к химической чистке.

Основные характеристики покрытия CVD-SIC

Свойства SiC-CVD
Кристальная структура	FCC β-фаза
Плотность	г/см³	3.21
Твердость	Твердость по Виккерсу	2500
Размер зерна	мкм	2~10
Химическая чистота	%	99,99995
Теплоемкость	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура сублимации	℃	2700
Фелексуральная сила	МПа (RT 4-точечный)	415
Модуль для младших	Gpa (изгиб 4 пт, 1300 ℃)	430
Тепловое расширение (КТР)	10-6К-1	4,5
Теплопроводность	(Вт/мК)	300