Кремний на изоляционной пластине

Краткое описание:

Пластина Silicon On Insulator (SOI) компании Semicera обеспечивает исключительную электрическую изоляцию и управление температурным режимом для высокопроизводительных приложений. Эти пластины, разработанные для обеспечения превосходной эффективности и надежности устройств, являются лучшим выбором для передовых полупроводниковых технологий. Выбирайте Semicera для получения передовых решений на пластинах SOI.


Детали продукта

Теги продукта

Пластина «кремний на изоляторе» (SOI) компании Semicera находится на переднем крае инноваций в области полупроводников, предлагая улучшенную электрическую изоляцию и превосходные тепловые характеристики. Структура КНИ, состоящая из тонкого слоя кремния на изолирующей подложке, обеспечивает важные преимущества для высокопроизводительных электронных устройств.

Наши пластины SOI предназначены для минимизации паразитной емкости и токов утечки, что важно для разработки высокоскоростных и маломощных интегральных схем. Эта передовая технология обеспечивает более эффективную работу устройств, повышенную скорость и снижение энергопотребления, что крайне важно для современной электроники.

Передовые производственные процессы, используемые Semicera, гарантируют производство пластин SOI с превосходной однородностью и стабильностью. Это качество жизненно важно для приложений в телекоммуникациях, автомобилестроении и бытовой электронике, где требуются надежные и высокопроизводительные компоненты.

В дополнение к своим электрическим преимуществам, пластины SOI компании Semicera обеспечивают превосходную теплоизоляцию, улучшая рассеивание тепла и стабильность в устройствах высокой плотности и высокой мощности. Эта функция особенно ценна в приложениях, которые предполагают значительное выделение тепла и требуют эффективного управления температурным режимом.

Выбирая кремниевую пластину на изоляторе Semicera, вы инвестируете в продукт, который поддерживает развитие передовых технологий. Наша приверженность качеству и инновациям гарантирует, что наши пластины SOI отвечают строгим требованиям современной полупроводниковой промышленности, обеспечивая основу для электронных устройств следующего поколения.

Предметы

Производство

Исследовать

Дурачок

Параметры кристалла

Политип

4H

Ошибка ориентации поверхности

<11-20 >4±0,15°

Электрические параметры

легирующая примочка

Азот n-типа

Удельное сопротивление

0,015-0,025 Ом·см

Механические параметры

Диаметр

150,0±0,2 мм

Толщина

350±25 мкм

Первичная плоская ориентация

[1-100]±5°

Первичная плоская длина

47,5±1,5 мм

Вторичная квартира

Никто

ТТВ

≤5 мкм

≤10 мкм

≤15 мкм

Общая ценность

≤3 мкм (5 мм*5 мм)

≤5 мкм (5 мм*5 мм)

≤10 мкм (5 мм*5 мм)

Поклон

-15 мкм ~ 15 мкм

-35 мкм ~ 35 мкм

-45 мкм ~ 45 мкм

Деформация

≤35 мкм

≤45 мкм

≤55 мкм

Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Структура

Плотность микротрубок

<1 шт./см2

<10 шт/см2

<15 шт/см2

Металлические примеси

≤5E10атомов/см2

NA

БЛД

≤1500 шт/см2

≤3000 шт/см2

NA

ТСД

≤500 шт/см2

≤1000 шт/см2

NA

Переднее качество

Передний

Si

Чистота поверхности

Si-лицо CMP

Частицы

≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)

NA

Царапины

≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр

Совокупная длина≤2*диаметр

NA

Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения

Никто

NA

Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины

Никто

Политипные области

Никто

Совокупная площадь≤20%

Совокупная площадь≤30%

Передняя лазерная маркировка

Никто

Назад Качество

Задняя отделка

C-образная грань CMP

Царапины

≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр

NA

Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)

Никто

Задняя шероховатость

Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)

Задняя лазерная маркировка

1 мм (от верхнего края)

Край

Край

Фаска

Упаковка

Упаковка

Эпи-готовность в вакуумной упаковке

Многовафельная кассетная упаковка

*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC пластины

  • Предыдущий:
  • Следующий: