Кремниевая подложка

Краткое описание:

Кремниевые подложки Semicera разработаны с высокой точностью для высокопроизводительных применений в электронике и производстве полупроводников. Обладая исключительной чистотой и однородностью, эти подложки предназначены для поддержки передовых технологических процессов. Semicera гарантирует стабильное качество и надежность для ваших самых требовательных проектов.

Отправьте нам электронное письмо

Детали продукта

Теги продукта

Кремниевые подложки Semicera созданы для удовлетворения строгих требований полупроводниковой промышленности и предлагают непревзойденное качество и точность. Эти подложки обеспечивают надежную основу для различных применений, от интегральных схем до фотоэлектрических элементов, обеспечивая оптимальную производительность и долговечность.

Высокая чистота кремниевых подложек Semicera обеспечивает минимальные дефекты и превосходные электрические характеристики, которые имеют решающее значение для производства высокоэффективных электронных компонентов. Такой уровень чистоты помогает снизить потери энергии и повысить общую эффективность полупроводниковых устройств.

Semicera использует самые современные производственные технологии для производства кремниевых подложек с исключительной однородностью и плоскостностью. Эта точность необходима для достижения стабильных результатов в производстве полупроводников, где даже малейшие отклонения могут повлиять на производительность и производительность устройства.

Кремниевые подложки Semicera, доступные в различных размерах и характеристиках, удовлетворяют широкому спектру промышленных потребностей. Независимо от того, разрабатываете ли вы передовые микропроцессоры или солнечные панели, эти подложки обеспечивают гибкость и надежность, необходимые для вашего конкретного применения.

Semicera стремится поддерживать инновации и эффективность в полупроводниковой промышленности. Предоставляя высококачественные кремниевые подложки, мы даем возможность производителям расширять границы технологий, создавая продукцию, отвечающую меняющимся требованиям рынка. Доверьте Semicera ваши электронные и фотоэлектрические решения нового поколения.

Предметы	Производство	Исследовать	Дурачок
Параметры кристалла
Политип	4H
Ошибка ориентации поверхности	<11-20 >4±0,15°
Электрические параметры
легирующая примочка	Азот n-типа
Удельное сопротивление	0,015-0,025 Ом·см
Механические параметры
Диаметр	150,0±0,2 мм
Толщина	350±25 мкм
Первичная плоская ориентация	[1-100]±5°
Первичная плоская длина	47,5±1,5 мм
Вторичная квартира	Никто
ТТВ	≤5 мкм	≤10 мкм	≤15 мкм
Общая ценность	≤3 мкм (5 мм*5 мм)	≤5 мкм (5 мм*5 мм)	≤10 мкм (5 мм*5 мм)
Поклон	-15 мкм ~ 15 мкм	-35 мкм ~ 35 мкм	-45 мкм ~ 45 мкм
Деформация	≤35 мкм	≤45 мкм	≤55 мкм
Шероховатость передней поверхности (Si-face) (AFM)	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Структура
Плотность микротрубок	<1 шт./см2	<10 шт/см2	<15 шт/см2
Металлические примеси	≤5E10атомов/см2		NA
БЛД	≤1500 шт/см2	≤3000 шт/см2	NA
ТСД	≤500 шт/см2	≤1000 шт/см2	NA
Переднее качество
Передний	Si
Чистота поверхности	Si-лицо CMP
Частицы	≤60 шт/пластина (размер≥0,3 мкм)	NA
Царапины	≤5 шт./мм. Совокупная длина ≤Диаметр	Совокупная длина≤2*диаметр	NA
Апельсиновая корка/косточки/пятна/бороздки/трещины/загрязнения	Никто		NA
Краевые сколы/вмятины/изломы/шестигранные пластины	Никто
Политипные области	Никто	Совокупная площадь≤20%	Совокупная площадь≤30%
Передняя лазерная маркировка	Никто
Назад Качество
Задняя отделка	C-образная грань CMP
Царапины	≤5 шт./мм, совокупная длина≤2*диаметр	NA
Дефекты задней стороны (сколы/вмятины по краям)	Никто
Задняя шероховатость	Ra≤0,2 нм (5 мкм*5 мкм)
Задняя лазерная маркировка	1 мм (от верхнего края)
Край
Край	Фаска
Упаковка
Упаковка	Готовность к эпидемии в вакуумной упаковке Многовафельная кассетная упаковка
*Примечания: «NA» означает отсутствие запроса. Неуказанные элементы могут относиться к SEMI-STD.