Semicera предлагает специализированные покрытия из карбида тантала (TaC) для различных компонентов и носителей.Semicera Передовой процесс нанесения покрытий Semicera позволяет покрытиям из карбида тантала (TaC) достигать высокой чистоты, высокой температурной стабильности и высокой химической толерантности, улучшая качество продукции кристаллов SIC/GAN и слоев EPI (Токоприемник TaC с графитовым покрытием), а также продление срока службы ключевых компонентов реактора. Использование покрытия TaC из карбида тантала призвано решить проблему кромок и улучшить качество роста кристаллов, а компания Semicera совершила прорыв в технологии покрытия из карбида тантала (CVD), достигнув международного передового уровня.
После многих лет развития компания Semicera овладела технологиейССЗ TaCсовместными усилиями отдела исследований и разработок. Дефекты легко возникают в процессе роста пластин SiC, но после использованияТаС, разница существенная. Ниже приведено сравнение пластин с TaC и без него, а также деталей Semicera для выращивания монокристаллов.
с ТАК и без него
После использования TaC (справа)
Кроме того, срок службы продуктов с покрытием TaC компании Semicera дольше и более устойчив к высоким температурам, чем у покрытий SiC. После длительного периода лабораторных измерений наш TaC может долго работать при температуре максимум 2300 градусов по Цельсию. Ниже приведены некоторые из наших образцов:
(a) Принципиальная схема устройства для выращивания слитков монокристалла SiC методом PVT (b) Верхняя затравочная скоба с покрытием TaC (включая затравку SiC) (c) Графитовое направляющее кольцо с покрытием TAC
